头条

  • 发布终端AI芯片,比特大陆距离领先芯片设计企业还有多远
    从AI整体的发展情况来看,AI行业的发展已经从以技术驱动逐步发展成为了一个以场景和运用驱动为主的产业,这对传统的芯片设计公司的业务以及发展模式提出了新的挑战。
  • 手机里到底有多少个传感器
    随着技术的进步,手机已经不再是一个简单的通信工具,而是具有综合功能的便携式电子设备。手机的虚拟功能,比如交互、游戏、都是通过处理器强大的计算能力来实现的,但与现实结合的功能,则是通过传感器来实现。本文就为大家整理了手机中常见的传感器,帮助大家了解其原理和用途。
  • 详解气体传感器特点及未来的发展趋势
    气体传感器是一种将某种气体体积分数转化成对应电信号的转换器。探测头通过气体传感器对气体样品进行调理,通常包括滤除杂质和干扰气体、干燥或制冷处理仪表显示部分。
  • 发布终端AI芯片,比特大陆距离领先芯片设计企业还有多远
  • 手机里到底有多少个传感器
  • 详解气体传感器特点及未来的发展趋势

最新资讯

  • 功率电子设计中的碳化硅共源共栅器件及其优势

     几乎没有必要用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术来描述宽带隙(WBG)器件的质量,因为单从这些器件标注的名称已经足以保证极高的功率密度和匹配效率,最近的一个例证是“小盒子挑战”,它将特定转换器的目标功率密度提高了三倍。在实际系统中,设计人员需要通常由SiC MOSFET和增强型GaN(e-GaN)HEMT单元提供的OFF开关,但它们并不十全十美,都有自己的局限性和缺陷。这两种类型的器件都需要非常特殊的栅极驱动电压。SiC MOSFET具有相对较差的体二极管,而GaN器件则没有经典的体二极管,且没有雪崩电压特性。在“斩波器”、半桥和“图腾柱”功率因数(PFC)级等许多实际应用中,需要体二极管或其他类似的器件。为了显著提高效率,SiC-MOSFET和GaN HEMT需要并联一个高性能二极管,增加了总体成本和复杂性。
    发表于:2018/9/27 20:56:59
  • 意法半导体先进的Qi®兼容充电发射器,可确保15W多线圈无线充电器给移动设备充电快速稳定

    意法半导体STWBC-MC 15W无线充电发射器可以控制多个充电线圈,降低无线充电对电池供电设备需精确定位的依赖。
    发表于:2018/9/27 20:55:06
  • 从起源到氮化镓/碳化硅等材料,一文读懂半导体材料进化史

    现代世界里,没有人可以说自己跟“半导体”没有关系。半导体听起来既生硬又冷冰冰,但它不仅是科学园区里那帮工程师的事,你每天滑的手机、用的电脑、看的电视、听的音响,里面都有半导体元件,可以说若没有半导体,就没有现代世界里的轻巧又好用的高科技产物。
    发表于:2018/9/27 20:54:20
  • 英特尔携手京东大数据,打造下一代大数据平台,推动社区和业界数据分析创新

    在今日举行的“携手共创未来数据科技;京东与英特尔,大数据合作备忘录签约仪式”上,英特尔与京东共同分享了在大数据分析领域的合作成果,以及将要展开的全新合作。具体而言,京东正在为建立高级数据分析能力而着力打造下一代可扩展的大数据平台,京东和英特尔除了在软件领域展开深入合作外,京东大数据也在计算、存储、网络等领域充分利用英特尔下一代硬件产品;京东大数据团队在大数据领域创新的同时,将持续推动开源社区和整个行业在数据分析领域的进步。
    发表于:2018/9/27 20:53:35
  • LG选择新思科技HDMI 2.1 IP提供沉浸式观看体验

      LG选择具有HDCP 2.3内容保护功能的DesignWare HDMI 2.1控制器IP,在其新款多媒体芯片中实现安全、高质量的数字视频和音频链路。   ·符合标准的HDMI 2.1 IP可提供48 Gbps聚合带宽,在60 Hz刷新率条件下实现无压缩8K分辨率,以满足高性能设计要求。   ·DesignWare HDCP 2.3内容保护IP支持最新标准,以保护跨HDMI链路的数据传输。
    发表于:2018/9/27 20:51:49
  • 我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展

    以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度,可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量,满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求,被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。但长期以来,我国SiC器件的研制生产主要依赖进口。SiC器件关键装备的成功研发对加快解决全产业链的自主保障、降低生产线建设与运营成本、促进产业技术进步和快速发展壮大等方面具有重大的推动作用。
    发表于:2018/9/27 20:51:23
  • 如何用碳化硅(SiC)MOSFET设计一个高性能门极驱动电路

    对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
    发表于:2018/9/27 20:49:34
  • 集邦咨询:供过于求加上旺季不旺,DRAM第四季合约价跌幅恐扩大至5%

    根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查,时序进入9月下旬,正值各家厂商议定第四季合约价的关键时机,但受到位元产出持续增加,以及旺季需求并未明显增温的影响,价格走弱的态势更为明显,DRAM第四季合约价跌幅将由原先预估的季跌1~3%,扩大至约5%
    发表于:2018/9/27 20:48:11
  • 国内首条全碳化硅智能功率模块生产线在厦投产

     厦门中小平台消息,国内首条全碳化硅智能功率模块生产线将在厦门正式投产,标志着我国在碳化硅芯片这个新兴行业又实现了一次重要突破。值得一提的是,这一中国半导体行业健康发展的新亮点是“厦门制造”,由厦门市火炬高新区企业厦门芯光润泽科技有限公司研发。
    发表于:2018/9/27 20:47:44
  • 半导体代际迅速发展,罗姆:争取2022年普及碳化硅

    科技是人类一大进步的基石,自从第一次工业革命开始后,人类发展的速度突飞猛进。越来越多科技产品的出现便利了人们的生活,现如今人们离不开电子产品等时代的产物了。
    发表于:2018/9/27 20:43:02
  • SiC器件的优点被熟知近60年为什么还未普及?

    如果硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础,砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为代表的第二代半导体材料奠定了信息产业的基础,那么以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料将是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特性,SiC器件备受期待,但工艺和成本成为其普及的障碍。不过,在可以预见的未来,我们将看到SiC对电动汽车行业产生的革命性影响,电动汽车也将引领SiC器件的普及。
    发表于:2018/9/27 20:39:00
  • 对SiC-MOSFET和IGBT的区别

    众所周知,SiC材料的特性和优势已被大规模地证实,它被认为是用于高电压、高频率的功率器件的理想半导体材料。SiC器件的可靠性是开发工程师所关心的重点之一,因为在出现基于Si材料的IGBT和MOSFET器件的同时,没有出现基于SiC的类似器件。
    发表于:2018/9/27 20:36:39
  • Akamai《互联网安全状况报告:撞库攻击》显示金融服务行业持续受到自动账户盗用工具的攻击

    负责提供安全数字化体验的智能边缘平台阿卡迈技术公司(Akamai Technologies, Inc.,以下简称:Akamai)(NASDAQ:AKAM)今日发布的《2018年互联网安全状况报告:撞库攻击》显示,全球恶意登录尝试次数不断增加。该报告研究发现,在2018年1月到4月间,Akamai每月大约检测到32亿次恶意登录,此外,2018年5月和6月的爬虫程序恶意登录次数超过83亿次,月平均增长率达到30%。总体而言,从2017年11月初到2018年6月末,Akamai的研究分析结果显示,恶意登录尝试在8个月内超过300亿次。
    发表于:2018/9/27 20:31:57
  • 5分钟带你了解什么是SiC!

    在TechWeb的“基础知识”里新添加了关于“功率元器件”的记述。近年来,使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法,以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立(分立半导体)元器件备受瞩目。这是因为,为了应对全球共通的“节能化”和“小型化”课题,需要高效率高性能的功率元器件。
    发表于:2018/9/27 20:20:00
  • 一文看懂SiC材料特性、功率器件、产业链环节及国内外市场规模

    21世纪,是信息技术大爆发的时代,在信息技术快速发展过程中,必然离不开半导体材料的迅猛发展。半导体材料、器件的发展必将引发一场全新的产业技术革命。
    发表于:2018/9/27 20:07:00