• 供量超过810亿GB当量,较2014年成长20%
  • 产量1ynm TLC规模化量产,产量增加30%
  • 成本每片Wafer的Flash Die成本下滑20%
  • 价格市场供过于求,闪存产品价格跌幅达35%
  • 转折2016,48层TLC 256Gb 3D NAND续写摩尔定律
2015年NAND Flash市场供应量810亿GB当量
     2015年NAND Flash的主要成长动力主要来源于市场对eMMC和SSD更大容量的需求,而这一需求,推动了Flash原厂三星、东芝/闪迪、美光、SK海力士等利用先进1ynm工艺加快导入TLC。在原厂技术和产能的驱动下,2015年NAND Flash市场供应量超过810亿GB当量,较2014年成长20%;消费类每GB当量NAND Flash销售价格已下探至0.12美金,跌幅超过40%。而且,这一供过于求的状况还将持续到2016年上半年,预计下半年市况将有好转。

eMMC将从高端智能型手机开始向UFS 2.0过渡

2015年主要eMMC供应商市占份额

随着Flash原厂TLC技术不断成熟,且eMMC控制芯片提高ECC的纠错能力,增强TLC耐用性,TLC eMMC性能已基本能达到MLC eMMC水平,且容量和成本更能满足智能型手机对64GB和128GB的需求。

eMMC 5.0、eMMC5.1、UFS2.0性能表现对比

产品实际应用中,与eMMC5.0相比,UFS2.0连续读写速度可提高一倍多,4KB随机读写速度更是提高2倍,如果基于3D NAND的UFS 2.0,将有更出色的速度表现,可更大幅度的提升智能型手机性能。


消费类SSD发展趋势:TLC和PCIe接口

消费类SSD:MLC、TLC市占率
     SSD需求正在快速增长,其中消费类市场客户对价格较为敏感,产品竞争也容易陷入价格战,TLC SSD更低的成本可大幅提升市场竞争力,因此各厂商争相推出TLC SSD抢夺市场。究其根源,一方面,原厂积极导入1ynm TLC工艺扩大128Gb规模化量产,且3D技术从48层开始均采用TLC架构。另一方面,控制芯片厂采用纠错能力更高的LDPC技术提高TLC耐用度,延长了TLC SSD使用寿命。

客户端SSD接口发展趋势
     消费类SSD市场,SATAIII接口基本已实现了市场的普及,随着产品的发展,SSD接口将由SATAIII向PCIe过渡以实现速度的提升。随着PCIe接口规范的发展,PCIe Gen3 x1最高传输速度达到1GB/s,是SATAIII接口速度的2倍, PCIe Gen3 x4扩展速度更是达到最高4GB/s,这也是推动SSD接口向PCIe发展的最大推动力。

2015年SSD消费类市场主要厂商市占份额

2015年SSD在服务器市场应用进一步提升,未来大数据存储需求推动下,将超过PC市场成为SSD最大应用市场。



  • 2020年,全球数据量将超过40ZB

  • 2020年,约70%-80%的数据将存储在云端

  • 中国的大数据建设给服务器提出新的要求

  • 3D NAND和3D XPoint技术大幅提升I/O性能

  • SSD不会完全取代DRAM和HDD

  • DRAM、SSD、HDD将互补并存于服务器市场

  • SSD在行业市场的需求从小容量向大容量转移



日期大事件备注
1月美光与力成投资2.5亿美元建封装厂美光西安重要封测据点
3月台联电投资62亿美元在厦门新建一座12英寸晶圆厂台湾晶圆厂
4月慧荣收购上海宝存信息科技有限公司达成战略联盟
9月紫光38亿美元获西部数据15%股份西部数据收购闪迪
10月紫光投资6亿美元取得力成25%股份力成是存储器封装企业
11月Marvell与江波龙达成策略联盟发布SSD产品
11月同方国芯拟投94亿美元(600亿元RMB)建存储厂提高芯片生产力
11月英特尔拟35亿美元改大连厂为存储芯片厂大连厂生产3D xPoint可能性很大
11月紫光出资8058万美元与西部数据设立紫光西部数据在NAND Flash业务上深度合作