三星电子HBM3E内存已获英伟达验证

TrendForce：三星电子 HBM3E 内存已获英伟达验证，8Hi 产品开始出货

发表于：2024/9/4 上午9:33:36

关键词：
三星电子
HBM3E
英伟达
8Hi

消息称LG Display连连亏损大规模裁员

消息称LG Display连连亏损大规模裁员，已有1400人自愿退休

发表于：2024/9/4 上午9:29:08

关键词：
LGDisplay

消息称美国司法部已对英伟达在AI领域主导地位升级反垄断调查

消息称美国司法部已对英伟达在 AI 领域主导地位升级反垄断调查

发表于：2024/9/4 上午9:25:02

关键词：
英伟达
AI
反垄断调查

中国科学院大连化物所等开发出用于电池寿命预测的深度学习模型

中国科学院大连化物所等开发出用于电池寿命预测的深度学习模型

发表于：2024/9/4 上午9:17:38

关键词：
电池寿命
深度学习模型

我国首个空天遥感数据要素评估服务平台投入运行

我国首个空天遥感数据要素评估服务平台投入运行：采用自主算法和国产卫星遥感数据

发表于：2024/9/4 上午9:08:55

关键词：
空天遥感
数据要素
国产卫星
遥感数据

国产GPU厂商象帝先已启动裁员

国产GPU厂商象帝先已启动裁员：补偿标准为N+1

发表于：2024/9/4 上午8:59:53

关键词：
象帝先
国产GPU

华为将打造星地融合永不失联的通信网络

提前落地6G功能！余承东：华为将打造星地融合、永不失联的通信网络

发表于：2024/9/4 上午8:50:53

关键词：
华为
星地融合
6G

意法半导体正式宣布入股RISC-V公司Quintauris GmbH

意法半导体加入高通/恩智浦/博世/英飞凌/Nordic的RISC-V合资公司

发表于：2024/9/4 上午8:39:00

关键词：
意法半导体
RISC-V
QuintaurisGmbH
高通
恩智浦

爱立信携手Telstra率先全球部署新一代RAN计算平台

爱立信携手Telstra，率先全球部署新一代RAN计算平台，共推移动连接技术发展

发表于：2024/9/4 上午8:29:58

关键词：
爱立信
Telstra
RAN计算平台
移动连接

中国移动创新提出5G-A无线融合新架构

5G-A技术发展迈上新台阶：中国移动创新提出5G-A无线融合新架构

发表于：2024/9/4 上午8:20:59

关键词：
中国移动
5G-A

消息称三星电子测试TEL公司Acrevia GCB设备以改进EUV光刻工艺

消息称三星电子测试TEL公司Acrevia GCB设备以改进EUV光刻工艺

发表于：2024/9/4 上午8:11:01

关键词：
三星电子
EUV光刻工艺
AcreviaGCB设备
TEL公司

Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT

　　奈梅亨，2024年 9月2日：Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管（BJT）产品组合再次扩展，推出采用DFN2020D-3封装的十款标准产品和十款汽车级产品。这些新器件的额定电压为50 V和80 V，支持NPN和PNP极性的1 A至3 A电流范围，进一步巩固了Nexperia作为市场领先供应商的地位。通过此次发布，Nexperia通过DFN封装提供了其大部分的功率BJT，可满足设计人员对节省空间和能源的封装的需求，以此取代旧的SOT223和SOT89封装。

发表于：2024/9/3 下午1:28:36

关键词：
Nexperia
BJT
DFN2020D-3封装

e络盟发售功能强大的入门级 Raspberry Pi 5 2GB

　　中国上海，2024年9月2日——安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟日前开售极具性价比的全新 Raspberry Pi 5 2GB。

发表于：2024/9/3 下午1:23:06

关键词：
e络盟
RaspberryPi52GB
SBC

消息称三星电子SK海力士堆叠式移动内存2026年后商业化

消息称三星电子SK海力士堆叠式移动内存2026年后商业化 9 月 3 日消息，韩媒 etnews 当地时间昨日报道称，三星电子和 SK 海力士的“类 HBM 式”堆叠结构移动内存产品将在 2026 年后实现商业化。 消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源，计划将“类 HBM 内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，为端侧 AI 提供动力。 综合IT之家此前报道，三星电子的此类产品叫做 LP Wide I/O 内存，SK 海力士则将这方面技术称为 VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线，即将扇出封装和垂直通道结合在一起。 三星电子的 LP Wide I/O 内存位宽达 512bit，是现有 LPDDR 内存的 8 倍，较传统引线键合拥有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 带宽。该内存将于 2025 年一季度技术就绪，2025 下半年至 2026 年中量产就绪。

发表于：2024/9/3 上午11:36:23

关键词：
三星电子
SK海力士
堆叠式移动内存
HBM

我国首次突破沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术

9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。 项目背景 碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。 碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。 平面碳化硅 MOS 结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近 P 体区域的狭窄 N 区中，流过时会产生 JFET 效应，增加通态电阻，且寄生电容较大。

发表于：2024/9/3 上午11:10:21

关键词：
碳化硅
第三代半导体
MOSFET
芯片制造