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飞兆半导体的智能型栅极驱动器光电耦合器可简化设计 提高可靠性和降低系统成本

器件提供关键保护功能以及出色的共模瞬态抑制性能
2013-03-21

 

对于目前的高功耗工业应用,设计人员传统上对IGBT驱动器使用分立器件,导致整体设计复杂性和系统成本大大提高。为了帮助设计人员克服这一缺点,飞兆半导体(NYSE代码:FCS)推出了具有有源米勒箝位功能FOD8318智能栅极驱动光电耦合器。该器件是一个先进2.5A的输出电流IGBT驱动光电耦合器,可驱动大部分1200V/150A IGBT。

 

FOD8318它包含采用低RDS(ON) CMOS晶体管以进行IGBT轨到轨驱动的集成式栅极驱动光电耦合器,以及用于故障检测的集成式高速隔离反馈。它提供有源米勒箝位功能,可在高dv/dt状态期间关断IGBT,而无需负电源电压。这样可以简化设计,提高可靠性。此外,FOD8318还提供防止出现故障状态所需的关键保护功能,这些状态会导致IGBT的破坏性热失控。

 

此器件特别适合驱动快速开关功率IGBTMOSFET,适用于电机驱动器、工业转换器、太阳能电源反相器、不间断电源(UPS)、感应加热和隔离式IGBT驱动器等应用。

主要功能:

 

·        有源米勒箝位功能可消除负电源电压

·         内置IGBT 保护功能

o   去饱和检测

o   IGBT软断开

o   针对IGBT进行优化的欠压闭锁(UVLO)

·         CMR专有的高抗噪性能:35kV/µsec @Vcm-1500Vpeak

·         3.3V/5V,CMOS/TTL逻辑输入

·         轨至轨宽幅输出电压范围,以实现低功耗

 

·         安全和法规认证

o   UL1577,4,243VRMS 持续1分钟。

o   DIN-EN/IEC60747-5-5,1,414V峰值工作电压,8,000V峰值瞬态额定隔离
电压

 

FOD8318是飞兆全面的高性能光耦合器、电源管理IC、高电压栅极驱动器、分立功率IGBT/MOSFET产品组合的一部分,通过此类解决方案,客户能够实施设计创新。FOD8318采用专有Optoplanar®共面封装技术,具有高抗扰度。Optoplanar技术确保了0.4毫米以上的安全隔离厚度、8毫米爬电和间隙距离,从而获得了通过UL1577和DIN EN/IEC60747-5-5标准认证的可靠高压隔离。

 

封装和报价信息(订购1,000 个,美元)

 

按请求提供样品。交货期:收到订单后8-12 周内

 

该器件采用16引脚小尺寸塑料封装,价格为:

 

FOD8318:     $3.80

FOD8318V:   $3.82

 

联系方式

 

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