高频驱动电路与高效GaN HEMT电源模块的实现
2021年电子技术应用第7期
王 宇，马 伟，胡伟波，王美玉
南开大学 电子信息与光学工程学院，天津300350
摘要： 为了满足当前电源模块高效大功率的要求，针对氮化镓器件设计一款高频驱动电路，并搭建形成高频高效的电源模块。电路通过调节死区最小化处理模块与非重叠模块，抑制功率器件的大电流直通现象，有助于提升电源模块的效率；利用氮化镓器件的高频特性，使电源系统的工作频率大幅提升。电源系统测试结果表明，1 MHz时输出波形上升沿、下降沿时间分别为10 ns和5 ns；10 MHz时输出波形上升沿、下降沿时间分别为14 ns和8 ns。系统可实现10 W左右的大功率输出。1 MHz和10 MHz工作频率下系统达到的效率分别为93.7%和83.5%。
中图分类号： TN86
文献标识码： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.201239
中文引用格式： 王宇，马伟，胡伟波，等. 高频驱动电路与高效GaN HEMT电源模块的实现[J].电子技术应用，2021，47(7)：38-43.
英文引用格式： Wang Yu，Ma Wei，Hu Weibo，et al. Realization of high frequency driver circuit and high efficiency GaN HEMT power supply module[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(7)：38-43.
文献标识码： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.201239
中文引用格式： 王宇，马伟，胡伟波，等. 高频驱动电路与高效GaN HEMT电源模块的实现[J].电子技术应用，2021，47(7)：38-43.
英文引用格式： Wang Yu，Ma Wei，Hu Weibo，et al. Realization of high frequency driver circuit and high efficiency GaN HEMT power supply module[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(7)：38-43.
Realization of high frequency driver circuit and high efficiency GaN HEMT power supply module
Wang Yu，Ma Wei，Hu Weibo，Wang Meiyu
College of Electronic Information and Optical Engineering，Nankai University，Tianjin 300350，China
Abstract： In order to meet the high efficiency and high power requirement of current power supply module, this paper designs a high frequency drive circuit for gallium nitride device, and builds a high frequency and high efficiency power supply module.By adjusting dead zone minimization processing module and non-overlapping module, this circuit can suppress the high-current pass-through phenomenon of power devices, which is helpful to improve the efficiency of power module.Using the high frequency characteristic of gallium nitride device, the working frequency of power supply system is increased greatly.The test results of the power system show that the time of the output waveform rising edge and falling edge is 10 ns and 5 ns respectively at 1 MHz. At 10 MHz, the time of output waveform rising edge and falling edge is 14 ns and 8 ns respectively. The system can achieve about 10 W high power output. The efficiency of the system at 1 MHz and 10 MHz is 93.7% and 83.5% respectively.
Key words : GaN HEMT；driver circuits；high frequency；high efficiency；high power
0 引言
功率器件栅极驱动电路是电源模块的重要组成部分，在电源转换和能量获取领域起着关键的作用。功率器件栅极驱动电路被广泛用于汽车电子、移动快充、通信基站等领域。栅极驱动电路作为电源模块的基础部分，其速度和功耗将直接影响电路的整体性能[1-3]。电源模块产生系统损耗的原因有很多：一是驱动电路死区时间设置不当，导致功率器件同时承受高电流和高电压；二是功率器件栅极充电损耗，由于传统功率半导体器件栅极的输入电容较大，充放电产生动态功耗，导致驱动开关的损耗提升；三是传统功率半导体器件具有体二极管，二极管导通的时间越长，其传导和反向恢复损耗便越高。
电源模块高效特性的实现依赖于高性能功率半导体器件[4-5]。传统的功率半导体器件导通电阻和栅极电荷均比较大，且工作频率有限。近年来，第三代半导体材料得到飞速发展。其中，氮化镓高电子迁移率器件是第三代半导体的主要代表。由于氮化镓器件拥有导通电阻小、承受电压高，工作频率高等特性，被广泛应用于电源模块的输出级。
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作者信息：
王 宇，马 伟，胡伟波，王美玉
(南开大学 电子信息与光学工程学院，天津300350)
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