中文引用格式： 刘鸿睿，赵宏亮，尹飞飞. C波段高效率内匹配功率放大器设计[J]. 电子技术应用，2023，49(9)：58-62.
英文引用格式： Liu Hongrui，Zhao Hongliang，Yin Feifei. Design of high efficiency internal matching power amplifier of C band[J]. Application of Electronic Technique，2023，49(9)：58-62.
0 引言
在射频功率放大器中，高功率密度、高效率是人们一直追求的目标。目前主流的射频功率放大器设计方案分为单片微波集成电路（Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC）、射频功率模块和内匹配三种形式。内匹配功率放大器是一种混合集成电路（Hybrid Integrated Circuit, HIC），它可以将多种不同衬底材料、不同工艺的裸芯片通过粘接、焊接、共晶等工艺装配在同一个载片上。与其他两种形式相比，内匹配具有大功率、低成本、小型化的优点[1]。由于内匹配将管芯、无源电路、偏置电路分别设计在不同的衬底上，它可以实现不同工艺的优势互补。但也正是这个因素，给内匹配功放的设计带来很多不确定性。因此，高性能内匹配功率放大器是近年来研究的重点[2-3]。根据电气与电子工程师协会（Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE）对电磁波频谱的划分，C波段指的是频率在4~8 GHz范围的电磁波，该频段包含了卫星下行频段、5G移动通信频段、雷达频段等，用途较为广泛，具有广阔的市场前景。本文基于氮化镓高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor, HEMT）技术，设计了一款高效率C波段50 W内匹配功率放大器，其在饱和输出功率48 dBm下可以实现55%的功率附加效率（Power Added Efficiency, PAE），同时可装配在8 mm×8 mm载片上，实现了小型化，可广泛应用于卫星、雷达、移动通信等领域中[4-6]。
本文详细内容请下载：https://www.chinaaet.com/resource/share/2000005638
作者信息：
刘鸿睿，赵宏亮，尹飞飞 （辽宁大学 物理学院，辽宁 沈阳 110036）
