长江存储已于11月9日起诉美光科技有限公司（下称“美光”）及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。

　　长江存储是国内最大的3D NAND Flash（闪存芯片制造）厂商。长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash（闪存）市场来阻止竞争和创新。

　　据悉，本次涉案的长江存储的美国专利包括：US10,950,623（3D NAND存储器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存储装置及控制方法）、US10,658,378（三维存储器件的直通阵列接触 (TAC)）、US10,937,806 （三维存储器件的直通阵列接触 (TAC)）、US10,861,872（三维存储器件及其形成方法） 、US11,468,957（NAND存储器操作的体系结构和方法）、US11,600,342（三维闪存的读取方法）、US10,868,031（多层堆叠三维存储器件及其制造方法）。

　　长江存储在以上起诉书中称，长江存储不再是新秀（upstart），而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示，去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。

　　长江存储表示，目前其已经是全球3D NAND市场的领导者。2022年11月，半导体研究机构TechInsights在一项分析后得出的结论：“长江存储所取得的成就令人惊叹，现在是3D NAND 闪存领域的领导者”，“一举超越了美光”。

　　2018年，长江存储量产第一代32层3D NAND Flash芯片，2019年量产64层256Gb TLC 3D NAND闪存，2020年跳过96层研发两款128层闪存产品。

　　特别值得一提的是，近年来，随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围CMOS电路所占据的芯片面积或将达到50%以上。为了解决这一问题，长江存储在2018年推出了自研的创新的Xtacking技术。

　　Xtacking是通过将两块独立的晶圆分别制造NAND阵列和外围CMOS逻辑电路，然后将CMOS逻辑电路堆叠在NAND阵列之上，二者之间的垂直连接则需要相应的键合技术来实现，形成间距为10μm 及以下的互连，且不会影响 I/O 性能。另外，由于两种类型的芯片可以在不同的生产线上制造，因此可以使用各自优化的工艺节点分别生产，不仅可以缩短生产周期，还可以降低制造复杂度和成本。此外，该技术也使得每平方毫米的存储密度、性能和可扩展性可以进一步提高。目前长江存储的Xtacking技术已经进展到了3.0版本。

　　2022年10月，美国商务部工业和安全局发布出口管制新规，限制对中国出口芯片制造设备等，将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月，美国又将长江存储纳入出口管制“实体清单”。

　　长江存储作为国内最大的3D NAND制造厂商，自去年以来受到美方的打压，无法获取先进的美日荷设备，产能扩张受到了限制。此次，长江存储通过对美国存储芯片大厂美光发起专利诉讼，维护自身权益，不仅反应了自身技术的领先性，也体现了国内受制企业敢于“亮剑”的精神。