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消息称三星背面供电芯片测试结果良好

有望提前导入
2024-02-29
来源:IT之家

据韩媒 Chosunbiz 报道,三星电子近日在背面供电网络(BSPDN)芯片测试中获得了好于预期的成果,有望提前导入未来制程节点。

传统芯片采用自下而上的制造方式,先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。但随着制程工艺的收缩,传统供电模式的线路层越来越混乱,对设计与制造形成干扰。

BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面,可简化供电路径,解决互连瓶颈,减少供电对信号的干扰,最终可降低平台整体电压与功耗。对于三星而言,还特别有助于移动端 SoC 的小型化。

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参考韩媒报道,三星电子在测试晶圆上对两种不同的 ARM 内核设计进行了测试,在芯片面积上分别减小了 10% 和 19%,同时还获得了不超过 10% 的性能、频率效率提升。

Chosunbiz 称,三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm(IT之家注:此处存疑,以往报道中为 1.4nm)工艺中实现背面供电技术的商业化,但由于目前超额完成了开发目标,预计将修改路线图,最早在明年推出的 2nm 中应用。

三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域:其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia;而根据科技博客 More Than Moore 消息,台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的背面供电版本。

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