工业自动化最新文章 消息称三星正改善半导体封装工艺 根据韩媒 ETNews 报道，三星电子正计划升级工艺，将非导电胶（NCF）更改为模塑底部填胶（MUF），从而实现更先进的封装工艺。 发表于：2/21/2024 便携式XRF能谱仪中锂离子电池恒压转换器的研究 便携式XRF能谱仪采用锂离子电池供电，锂离子电池放电过程中，输出电压随时间逐渐减小，影响能谱仪检测结果。为消除该不利影响，采用Buck-Boost拓扑结构，基于LTC3789设计宽输入范围、高转换效率的恒压转换器，将锂离子电池转换为恒电压输出。详细介绍了恒压转换器的设计过程，并对其功能和效率进行实验，结果表明：该恒压转换器输出电压稳定，转换效率高，满足使用要求。 发表于：2/20/2024 基于流水线的RSA加密算法硬件实现 针对硬件实现高位RSA加密算法成本比较高的问题，在传统的基4蒙哥马利（Montgomery）算法上进行改进。首先引入CSA加法器快速完成大数的加法计算；然后在后处理上做优化，以减少每次蒙哥马利计算的大数个数；最后在计算RSA加密算法时加入了流水线，在并行执行RSA加密的条件下降低硬件资源的使用。在Xilinx XC7K410T系列的FPGA开发板上的实验结果表明，在保证加密速率的前提下，改进的RSA加密算法结构使用的硬件资源是原来并行结构的1/2，而且可以在更高的频率下工作。 发表于：2/20/2024 一种可调延时超窄脉冲触发序列产生技术 为了实现高频信号在欠采样条件下的波形重构，递进延时超窄触发信号的产生成为顺序等效采样技术用于触发取样系统进行高频信号采样的关键。为此，设计了一种可编程延时触发序列产生及调理电路，在FPGA数字电路的控制下，通过计数器与延时模块产生可调延时触发序列，利用阶跃恢复二极管特性对产生的触发序列进行调理，产生一种延时步进可调、边沿极窄的脉冲信号。通过对该电路进行测试，结果表明，输出脉冲信号步进范围0~-2.4 ns可调，分辨率可达1 ps，且边沿跳变时间可以达到120 ps内，幅度可达到8 V左右。该延迟脉冲和调理电路可应用于通信、雷达等信号探测设备中，对于高频信号的获取与分析具有重要意义。 发表于：2/20/2024 地铁车辆小型电器设备加速试验在线测试系统 为了满足地铁车辆使用的小型电器设备在加速试验过程中的在线电性能参数测试的需求，通过对传统的小型电器设备在线测试电源、测试设备及数据处理系统进行改进，提出了一种基于加速试验的地铁车辆小型电器设备在线测试系统。针对地铁车辆小型电器设备对电源系统的特殊要求提出了具有交直流转换、电压可调、大功率、高精度的电源设计方案。同时设计了信号采集、传输的测试电路及可存储、处理数据的软件平台，并应用于实际的加速试验中证明该测试系统是可行的。这种应用于加速试验的地铁车辆小型电器设备在线测试系统可实时检测小型电器设备的吸合时间、接触电阻等数据，为小型电器设备的维修维护提供重要的参考数据。 发表于：2/20/2024 一种基于芯片片内总线的DMA控制器芯片的设计与验证 通过对片内总线的研究和理解，为最大化发挥总线优势，将直接存储访问技术和ICB总线结合，设计了一种基于ICB总线的DMA控制器。通过软件仿真验证了该控制器的逻辑功能，仿真结果表明其能够正常稳定运行。 发表于：2/20/2024 一种基于分布式计算的芯片仿真加速设计 随着芯片设计规模和复杂度越来越大，传统的芯片EDA（Electronic Design Automation）验证方法在子系统和SoC（System on Chip）全芯片级别越来越受限于仿真速度限制。如何高效收敛RTL（Register Transfer Level）设计，确保及时高质量交付，成为芯片研发领域急需解决的重要问题。介绍了一种自研的利用分布式计算方法来加速大型芯片仿真效率的DVA（Distributed Verification Acceleration）系统架构和实现。 发表于：2/20/2024 一种应用于LED驱动的新型过温保护电路 基于0.18 μm BCD工艺，设计了一种应用于LED驱动的新型过温保护电路。利用基于电流求和的Banba型带隙基准源来产生高低阈值电压，从而消除芯片在过温点附近的振荡现象，同时带隙基准源加入了高阶曲率补偿，提高了过温阈值点的精度。通过Cadence软件对该电路进行了仿真验证。结果表明，在-40℃~150 ℃的温度变化区间内，高低阈值电压的温度特性好，温度系数为2.9 ppm。当温度高于131.8 ℃时，能够触发过温保护；当温度低于109.4 ℃时，电路可恢复正常工作，迟滞量为22.4 ℃。该过温保护电路精度高，稳定性好，可应用于LED驱动芯片中。 发表于：2/20/2024 格芯将获得美芯片行业第三笔补贴15亿美元资金 拜登政府周一(2月19日)宣布，将向半导体公司格芯(GlobalFoundries)提供15亿美元的补贴，以扩大其在纽约和佛蒙特州的生产项目。由于恰逢美股休市，该消息未能反应在格芯股价上面。 发表于：2/20/2024 2023年我国累计进口集成电路4795亿颗 2023这一年里，作为全球电子产品制造流通的枢纽，全年我国累计进口集成电路4795亿颗，较2022年下降10.8%；进口金额3494亿美元，同比下降15.4%。 发表于：2/20/2024 西电郝跃院士在超陡垂直晶体管器件研究方面取得进展 近日，西安电子科技大学郝跃院士团队刘艳教授和罗拯东副教授在超陡垂直晶体管器件研究方面取得重要进展，相关研究成果以“Steep-Slope Vertical-Transport Transistors Built from sub-5 nm Thin van der Waals Heterostructures”为题发表于《自然•通讯》。该工作报道一种新型晶体管器件技术，将电阻阈值开关与垂直晶体管进行集成，实现了兼具超陡亚阈值摆幅与高集成密度潜力的垂直沟道晶体管，电流开关比超过8个数量级且室温亚60mV/dec电流范围超过6个数量级，为后摩尔时代高性能晶体管技术提供了一种新的器件方案。 发表于：2/20/2024 丰田因发动机排放数据造假将被采取监管 丰田因发动机排放数据造假将被采取监管 发表于：2/20/2024 中国台湾半导体产业产值2024年可望突破5万亿元新台币 中国台湾工研院产科国际所预估，今年第一季度中国台湾半导体业产值将约1.14万亿元新台币（单位下同），季减5.2%，年增13.1%。全年产值可望突破5万亿元，将创新高，增加15.4%。 产科国际所预估，在产业链库存问题消除，AI（人工智能）需求强劲带动下，今年全球半导体产业景气可望回温，产科国际所预期，中国台湾半导体业产值将突破5万亿元关卡，达5.01万亿元，增加15.4%。 发表于：2/20/2024 国产1英寸大底之王OV50X首度曝光 博主数码闲聊站爆料，豪威新一代传感器OV50X已在路上，采用22nm工艺，拥有1英寸超大底，是目前表现最好的国产传感器，被称之为“1英寸镜皇”。 据悉，OV50X采用LOFIC技术，全称是“Lateral Overflow lntegration Capacitor”，中文名为“横向溢出集合电容”。 发表于：2/20/2024 台积电5纳米以下先进制程订单已满载 据最新消息，全球半导体巨头台积电在5纳米以下先进制程领域的订单已经满载。随着大客户AMD加速冲刺计算机中央处理器（CPU）本业，预计今年将推出的研发代号Nirvana的Zen 5全新架构平台，将进一步强化AI终端应用覆盖范围，涉及桌面、笔记本电脑和服务器等领域。这一重大举措预计将为台积电带来又一轮的大单。 发表于：2/20/2024 «…236237238239240241242243244245…»
