消费电子最新文章 芯片巨头的新战场 Intel下一代旗舰级CPU Sapphire Rapids将会是Intel在CPU领域的一次重要新产品。该CPU将会使用Intel 7工艺，并且大规模使用了chiplet（芯片粒）技术，从而让单个CPU中可以包含高达60个核心，从而让Intel不至于在高级封装驱动的下一代CPU竞争中落后AMD。 发表于：2022/11/7 ADI携手友达光电，面向汽车市场推出安全节能的宽屏显示器 中国，北京–2022年11月3日，Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布友达光电(TPE:2409)将在其领先的汽车宽屏显示器产品系列中使用ADI的矩阵LED显示屏驱动器技术。此项业内优异的技术支持局部调光，可将功耗显著降低至少50％，满足功能安全要求。 发表于：2022/11/7 曝vivo全球首发京东方Q9高分屏 今日消息，vivo即将登场的X90系列除了拿到天玑9200和京东方Q9双首发权外，还将会首发自研芯片V2。 发表于：2022/11/6 将继续采用高通芯片，苹果自研基带芯片失利 自从3年前因为调制解调器的诉讼和解之后，苹果就一直在积极自研自己的相关基带芯片，但是这期间不断传出搭载自研基带芯片的原型机在测试过程中频频发热，预计要到两年后才能调整解决，因此苹果短期内将继续采用高通的基带芯片。 发表于：2022/11/6 欲弯道超车，华为公布超导量子芯片专利 近日从国家知识产权局获悉，华为技术有限公司公布了代码为CN115271077A的超导量子芯片专利。 发表于：2022/11/6 摩尔线程发布MCCX元计算一体机 今天下午的发布会上，国产GPU初创企业摩尔线程带来了新一代GPU春晓，并推出了MTT S80国潮游戏显卡及MTT S3000服务器显卡，此外他们针对元宇宙打造了国内首个元宇宙计算平台MTVERSE，并推出了基于MTT S3000的MCCX元计算一体机。 发表于：2022/11/6 台积电终于认识到错误，将在全球扩张降低对美国芯片的依赖 台积电创始人张忠谋近期表态指在美建设更多工厂将毁了台积电，为此台积电正在考察德国、印度等，计划在这些地区建设工厂，同时它在中国大陆的南京工厂也将扩张16nm、28nm工艺产能，显示出摆脱对美国芯片依赖的决心。 发表于：2022/11/6 芯动而来！美光发布新型芯片、华为公布超导量子芯片专利 随着各大芯片巨头相继公布三季报，近日美国芯片巨头高通（Qualcomm）发布了第四财季业绩报告，第四季度经调整营收113．9亿美元，同比增长22％，预期113．7亿美元，根据财报显示调整后符合预期，但对于下一财季的业绩，高通还发布了低于预期第一财季展望。 发表于：2022/11/5 存储半导体“入冬”，韩企押注DDR5赛道 由于受通货膨胀、疫情等宏观问题持续存在，手机、PC等消费电子客户不断调整库存，存储芯片业务受到影响。 发表于：2022/11/5 PC市场疲软之际，AMD逆势增长最大的底气是什么？ 从费城半导体指数来看，在今年10月跌至两年来的最低水平。“CPU＋GPU”双芯片行业龙头AMD股价，也在年内相应暴跌近60％，目前市值960多亿美元。 发表于：2022/11/5 智慧城市井下天然气泄漏监测传感器TGS2619 随着智慧城市化进程的加快，市政公用设施建设发展迅速。燃气管线在长期使用中面临的管道老化问题。调查发现，地下井内的燃气管线会出现微小渗漏，由于是双层井盖，所以在井上不容易察觉，但是积少成多，很容易产生安全隐患，不仅影响了相关设备的正常工作，造成巨大的直接或间接经济损失，也会对道路上的车辆、行人造成极大的危害，对社会安定、安全造成负面影响。由于城区面积扩大，燃气管道分布范围广、数量大，导致监管难度大，通过井下燃气智能监测设备，可以准确探测到轻微的燃气泄漏，防止“小漏”扩大化，保障了城市管线的安全运行。 发表于：2022/11/5 高通文件：Arm将“断供”所有芯片公司CPU授权 近日，据高通最新提交给法院的反诉书显示，Arm告诉OEM，高通从2025年起将无法开发或销售其架构的芯片，因为高通的许可协议将在2024年终止，而Arm不会延长任何这些许可。 发表于：2022/11/4 罪魁祸首疑似找到，英伟达RTX 4090“自燃门”后续 据业内消息，自从英伟达RTX 4090显卡上市这段时间以来，因为其16针连接器出现多例自燃烧毁现象，导致陷入“自燃门”，英伟达和各厂商们积极核查自燃的根本原因，据说找到了这个罪魁祸首。 发表于：2022/11/4 兆芯最新X86 CPU曝光：性能与英特尔/AMD相比，落后10年？ 众所周知，在PC领域，X86完全是处于垄断地全的，至少占了90％以上的份额。其它的像MIPS、ARM、RISC－V等等，都不是X86的对手。 发表于：2022/11/4 半导体材料：GaN（氮化镓）的详细介绍 三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，已成为全球半导体技术和产业竞争焦点。 发表于：2022/11/3 <…251252253254255256257258259260…>
