e络盟荣获NI 2024年度分销商销售价值奖

　　中国上海，2024年8月1日——安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟荣获NI 2024年度分销商销售价值奖。e络盟是一家为电子和工业系统设计、维护和维修提供相关产品和技术的分销商，它响应速度快且值得信赖。

发表于：8/1/2024 9:48:08 PM

传应用材料申请美国芯片法案补贴被拒

据彭博社报道，美国商务部已于当地时间7月29日拒绝了美国半导体设备大厂应用材料（Applied Materials）的芯片法案补贴申请，这或将影响应用材料在硅谷建研发中心的计划。

发表于：8/1/2024 2:43:05 PM

聚焦新能源，贸泽电子2024技术创新论坛合肥站即将开启

2024年7月31日 – 专注于引入新品并提供海量库存™的电子元器件代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布将于8月9日在合肥举办2024贸泽电子技术创新论坛第二期主题活动。本次论坛将围绕“新能源”这一热门主题，特邀来自Amphenol, Molex, Omron, Phoenix Contact等国际知名厂商的专家，以及福州大学和合肥工业大学的资深教授，共同探讨新能源时代的变革趋势，携手共建可持续的绿色未来。

发表于：8/1/2024 2:26:30 PM

三星计划2024Q3量产8层HBM3E产品

8 月 1 日消息，韩媒 Business Korea 昨日（7 月 31 日）报道，在 2024 年第 2 季度财报电话会议上，三星公司高管公布：“第五代 8 层 HBM3E 产品目前已交付客户评估，计划 2024 年第 3 季度开始量产”。

发表于：8/1/2024 1:16:16 PM

国内碳酸锂电池供应大幅过剩

8月1日消息，据国内媒体报道称，2024年国内碳酸锂产量预计达65万吨，同比增加41%，其中下半年供给端可能有更多增量释放，锂价或将在下半年跌至年内最低点。 在专家看来，今年二季度起，国内产量和进口量均在增加，导致每月锂盐供应出现过剩，且过剩量都在上万吨级别，基本面走势明确。 “接下来的“金九银十”期间可能引起产业链下游补库，帮助减少锂盐过剩量，但进入11月和12月，锂盐供应或将再度进入大幅过剩局面，全年平衡预计过剩约10万吨。”专家说道。

发表于：8/1/2024 10:38:13 AM

消息称美国8月将升级对华半导体限制

传美国将升级对华半导体限制：120个中国实体将被禁，涉及晶圆厂、设备商、EDA厂商！

发表于：8/1/2024 10:26:07 AM

美国研究团队最新研制出存算一体CRAM技术

7 月 31 日消息，来自明尼苏达大学双城校区的研究团队最新研制出计算随机存取存储器（CRAM），可以将 AI 芯片的能耗降至千分之一。

发表于：8/1/2024 10:18:26 AM

美国推迟对中国电动汽车等产品加征关税

8 月 1 日消息，美国计划对中国进口电动汽车征收 100% 关税的政策不仅浇灭了极氪、比亚迪等中国车企进军美国市场的热情，也给美国本土汽车制造商带来了不小的麻烦，原本计划于 2025 年和 2026 年进入美国市场的别克 Electra E5 和 E4 车型因关税问题被迫搁置。

发表于：8/1/2024 10:07:02 AM

消息称2025年中国SiC芯片价格将下降高达30%

据报道，业内人士表示，预计未来两年中国碳化硅（SiC）芯片价格将下降高达30%。 这归因于越来越多的本地生产商获得电动汽车认证并扩大了其制造能力。消息人士称，预计中国供应商的SiC元件将在2025年底开始大规模渗透电动汽车市场，打破国际供应商在该市场的主导地位。

发表于：8/1/2024 9:55:21 AM

美光宣布量产第九代TLC NAND闪存技术

美光宣布量产第九代TLC NAND闪存技术：写入速度比竞品快99%！

发表于：8/1/2024 9:50:05 AM

维信诺联合昇显和睿科微电子完成世界首颗嵌入式RRAM存储技术AMOLED显示驱动芯片的开发和认证

维信诺联合昇显、睿科微电子完成世界首颗嵌入式 RRAM 存储技术 AMOLED 显示驱动芯片的开发和认证

发表于：8/1/2024 9:43:00 AM

二季度开始Intel每月为NVIDIA生产5000块晶圆

Intel从二季度开始，每月可为NVIDIA生产5000块晶圆

发表于：8/1/2024 9:35:00 AM

英伟达Blackwell高耗能推动AI服务器水冷方案发展

集邦咨询：英伟达 Blackwell 高耗能推动散热需求，预估年底 AI 服务器水冷方案渗透率达 10%

发表于：8/1/2024 9:28:00 AM

消息称三星电子V9 QLC NAND闪存尚未获量产就绪许可

7 月 31 日消息，韩媒 ZDNet Korea 报道称，三星电子 V9 NAND 闪存的 QLC 版本尚未获得量产许可，对平泽 P4 工厂的产线建设规划造成了影响。 三星电子今年 4 月宣布其 V9 NAND 闪存的 1Tb 容量 TLC 版本实现量产，对应的 QLC 版本则将于今年下半年进入量产阶段。 然而直到现在，三星电子并未对 V9 QLC NAND 闪存下达 PRA（IT之家注：应指 Production Readiness Approval）量产就绪许可。而容量更高、成本更低的 QLC 闪存目前正是 AI 推理服务器存储需求的热点。 明星产品前景不明，使得三星电子内部对是否将平泽 P4 工厂第一阶段完全用于 NAND 生产存在不同声音。

发表于：8/1/2024 9:20:00 AM

消息指SK海力士400+层闪存明年末量产就绪

消息指 SK 海力士加速 NAND 研发，400+ 层闪存明年末量产就绪

发表于：8/1/2024 9:13:00 AM