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Altera推出最新IP内核产品,降低了高性能40GbE/100GbE设计的复杂度

Altera推出最新IP内核产品,降低了高性能40GbE/100GbE设计的复杂度

Altera公司(NASDAQ: ALTR)今天宣布,推出40-Gbps以太网(40GbE)和100-Gbps以太网(100GbE)知识产权(IP)内核产品。这些内核能够高效的构建需要大吞吐量标准以太网连接的系统,包括,芯片至光模块、芯片至芯片以及背板应用等。介质访问控制(MAC)和物理编码子层以及物理介质附加(PCS+PMA)子层IP内核符合IEEE 802.3ba™-2010标准要求,降低用户在Altera 28-nm Stratix® V FPGA和40-nm Stratix IV FPGA中集成40GbE和100GbE连接的设计复杂度。

发表于:2012/7/11 下午1:29:05

北京东微推出独创的Silicon MEMS 麦克风灵敏度可调节接口电路

北京东微推出独创的Silicon MEMS 麦克风灵敏度可调节接口电路

专业混合信号集成电路开发商北京东微世纪科技有限公司今天宣布:成功开发并推出一种全新独创的Silicon MSMS 麦克风接口电路—EMT6904。该芯片是针对低功耗微机电系统(MEMS)麦克风而设计,可通过将麦克风的灵敏度调节到理想状态而产生卓越的音频信号质量。EMT6904采用了北京东微的自主专利技术,可方便的完成对封装好的Silicon 麦克风进行灵敏度调整,促进了MEMS技术与音频应用的完美结合。

发表于:2012/7/11 上午9:47:05

瑞萨电子推出具有长外部爬电距离(14.5 mm)、符合安全标准要求、需要690 V(或更高)高绝缘电压的光电耦合器

瑞萨电子推出具有长外部爬电距离(14.5 mm)、符合安全标准要求、需要690 V(或更高)高绝缘电压的光电耦合器

高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社(TSE:6723)今天宣布推出用于逆变器的长爬电距离光电耦合器PS9905,其适用于采用690 V最高商业电源电压的工业设备或者采用1,000 V高压的太阳能发电系统之类的应用。新款PS9905器件是一款外部爬电距离(注释2)为14.5 mm的光电耦合器(化合物半导体,注释1),其超过安全标准(IEC 61800)指定的防止电击等事故发生所需的爬电距离- 13.8 mm。

发表于:2012/7/10 下午5:09:21

罗姆开发出实现业界最小的待机电流6μA(比以往产品降低80%)的车载用LDO稳压器

罗姆开发出实现业界最小的待机电流6μA(比以往产品降低80%)的车载用LDO稳压器

日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出实现了业界最小※的待机电流6μA的、耐压达50V的车载用LDO稳压器“BD7xxL2EFJ-C系列”。 在车载用LDO稳压器(以下简称“车载用LDO”)领域

发表于:2012/7/10 下午4:39:44

新思科技和中芯国际推出40纳米低漏电工艺DesignWare IP

新思科技和中芯国际推出40纳米低漏电工艺DesignWare IP

全球领先的电子器件和系统设计、验证和制造软件及知识产权(IP)供应商新思科技公司(Synopsys, Inc.,纳斯达克股票市场代码:SNPS)和中国最大、最先进的半导体代工企业中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”, 纽约证交所股票代码:SMI,香港联合交易所股票代码:981)今日宣布:从即日起提供一套丰富的、应用于中芯国际40纳米低漏电(40LL)工艺的DesignWare IP。

发表于:2012/7/10 下午4:38:05

Intersil推出业内首款集成ADC驱动器的40V低噪声精密仪表放大器

Intersil推出业内首款集成ADC驱动器的40V低噪声精密仪表放大器

全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商Intersil公司(纳斯达克全球交易代码:ISIL)今天宣布,推出一款新型40V低噪声仪表放大器,这是业内首款集成模/数转换器(ADC)电平转换器和驱动器的精密放大器。

发表于:2012/7/10 下午4:37:03

岛津制作所推出全新微焦点X射线检查装置

岛津制作所推出全新微焦点X射线检查装置

全球分析仪器、医疗仪器等各种科学计测仪器领先专业公司岛津制作所日前宣布,推出全新微焦点X射线检查装置SMX-800,用户用指尖轻触即可实际感受到真正的高通量高效处理能力,实现了易用性、高可靠性、优异节能设计、环保措施及坚固耐用的完美结合。

发表于:2012/7/10 下午4:36:12

MIPS 推出新一代 Aptiv™ 处理器

MIPS 推出新一代 Aptiv™ 处理器

为数字家庭、网络和移动应用提供业界标准处理器架构与内核的领导厂商美普思科技公司 (MIPS Technologies, Inc)今天宣布推出了新一代 Aptiv微处理器内核,包括 proAptiv、interAptiv 和 microAptiv 系列产品,可为 目标市场提供三种不同的性能水平。

发表于:2012/7/10 下午3:54:09

科锐推出S波段GaN器件  实现雷达应用的效率最大化

科锐推出S波段GaN器件 实现雷达应用的效率最大化

科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出可适用于军用和商用S 波段雷达中的高效GaN HEMT 晶体管。新型 S 波段GaN HEMT 晶体管的额定功率为60W,频率为 3.1至3.5GHz 之间,与传统Si或 GaAs MESFET 器件相比,能够提供优越的漏极效率(接近70%)。同时,高效率和高功率密度的结合有助于最大限度地降低散热的要求,并减少在商用雷达系统应用中的尺寸与重量。

发表于:2012/7/10 下午3:38:13

Vishay推出采用SlimSMA™封装的新系列表面贴装TransZorb® TVS

Vishay推出采用SlimSMA™封装的新系列表面贴装TransZorb® TVS

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用SlimSMA™ DO-221AC封装的新系列表面贴装TransZorb® 瞬态电压抑制器(TVS)--- SMA6F系列。该系列器件的高度只有0.95mm,在10/1000μs条件下的浪涌性能高达600W,8/20μs条件下的浪涌性能达到4kW,还具有优异的钳位能力。

发表于:2012/7/10 下午3:36:58

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