头条 我国科学家造出可编程三维光子神经网络 将可编程光子神经网络写进玻璃内部，是不是听上去有些科幻？科学家近期的一项研究证明，这条路不仅跑通了，而且规模越大优势越明显。近期，华中科技大学张新亮教授、董建绩教授与上海交通大学唐豪教授团队联合提出了一种可编程光子计算的新范式。他们开发了新架构 LAMP（Lantern-shaped Adaptive Multilayer Photonic network），意为灯笼形自适应多层光子网络。 最新资讯 基于FPGA的快速9／7整形离散小波变换系统设计 CCSDS图像数据压缩标准中采用9／7整形离散小波变换为核心算法，该算法结构简单，易于硬件设计实现。文中基于FPGA设计实现了9／7整数离散小波变换系统，设计中使用内部RAM存储方式，减小了对存储器的需求量，同时采用基于行的列变换方式，行、列变换同时进行，提高了运行速度，仿真和综合结果显示该设计需要的硬件资源少，运行速度快。 发表于：2010/8/11 Altera公布第二季度业绩，季度股利增长 2010年8月6号，北京——Altera公司(NASDAQ：ALTR)今天宣布，第二季度销售达到4.693亿美元，比2010年第一季度增长17%，比2009年第二季度增长68％。新产品销售持续增长36％。2010年第二季度净收入为1.806亿美元，每股摊薄后收益0.58美元，与之相比，2010年第一季度净收入为1.532亿美元，每股摊薄后收益0.50美元，2009年第二季度净收入达到0.474亿美元，每股摊薄后收益为0.16美元。 发表于：2010/8/6 Actel为中国设计工程社群推出在线培训课程 爱特公司(Actel Corporation) 宣布推出中国国家电子工程在线培训计划课程，其中将介绍业界领先产品SmartFusion™ 智能混合信号 FPGA，以及低功耗FPGA 如IGLOO®、IGLOO® nano和ProASIC®3 FPGA。爱特公司的多名技术专家与清华大学电子工程系的孟宪元教授将主讲一系列主题，包括利用Actel FPGA实现低功耗设计的基本概念，以及利用ARM Cortex-M3处理器进行嵌入式系统设计等。 发表于：2010/8/5 Altera Stratix V FPGA提供RLDRAM 3存储器支持 Altera公司(NASDAQ: ALTR)今天发布Stratix® V系列FPGA，适用于支持Micron技术公司的下一代低延时DRAM(RLDRAM® 3存储器)。Stratix V FPGA采用新的存储器体系结构，降低延时，高效实现FPGA业界最好的系统性能。Stratix V FPGA为网络设备生产商提供存储器接口解决方案，支持在互联网上迅速有效的传送视频、语音和数据。 发表于：2010/8/4 NI LabVIEW2010 优化编译器，加速代码执行 2010年8月——美国国家仪器有限公司（National Instruments，简称NI）今天发布了LabVIEW图形化编程环境的最新版软件LabVIEW 2010，用于设计、测试、测量与控制。LabVIEW 2010新增了即时编译技术，可将执行代码的效率提高20%，并针对更多应用市场推出各种附加工具包的收费与评估版，用户还可轻松将自定义功能集成到平台上，这些全新特性进一步提高了LabVIEW 2010的效率。对于使用现场可编程门阵列（FPGA）的用户来说，LabVIEW 2010提供全新IP集成节点，能够将所有第三方FPGA IP集成到LabVIEW应用中，并可与Xilinx内核生成器兼容。此外，NI研发工程师通过在LabVIEW技术在线论坛上与用户进行广泛深入的交流与合作，为新版LabVIEW添加了十多种客户建议的新特性。 发表于：2010/8/3 赛灵思发布ISE12.2强化部分可重配置FPGA技术 ISE12.2设计套件强化了其部分可重配置技术设计流程，并通过智能时钟门控技术降低24%的BRAM功耗。赛灵思部分可重配置技术，是目前唯一经行业验证的可重配置FPGA技术。 发表于：2010/7/29 中芯国际和Virage Logic拓展伙伴关系至40nm低漏电工艺 IP供应商Virage Logic公司和中国最先进的半导体制造商中芯国际集成电路有限公司（中芯国际，SMIC）今天宣布其长期合作伙伴关系扩展到40纳米（nanometer）的低漏电（low-leakage）工艺技术。Virage Logic 公司和中芯国际从最初的130纳米工艺合作起便为双方共同的客户提供具高度差异的 IP，涵盖的工艺广泛还包含90纳米以及65纳米。根据协议条款，系统级芯片（SoC）设计人员将能够使用 Virage Logic 开发的，基于中芯国际40纳米低漏电工艺的 SiWare存储器编译器，SiWare逻辑库，SiPro MIPI 硅知识产权 (IP) 和 Intelli DDR IP。除此之外这方面的一个新协议的关键将提供中芯国际 Virage Logic 先进的 STAR记忆系统和 STAR量率加速器工具，以加速中芯国际关于40纳米低漏电工艺记忆的技术开发，测试以及产量的提升。 发表于：2010/7/23 三星将量产30nm级DRAM内存芯片 速度将翻倍 全球最大的内存芯片厂商三星电子星期三称，它已经开始大批量生产高级的DRAM内存芯片。这将有助于拉开三星电子与二流竞争对手的距离和降低生产成本。 发表于：2010/7/22 中芯国际成功研发出65nm产品工艺,中国芯核心技术研发成功 依赖进口已成历史 昨天(7月21日)获悉，由中芯国际集成电路公司承担的国家重大科技项目取得最新进展，成功研发出了“65纳米产品工艺”，并开始批量生产，芯片制造依赖进口已成为历史。 发表于：2010/7/22 TRIQUINT宣布采用其CuFlip™技术的器件已出货超1亿片 中国，上海 — 2010 年 7 月 13 日 — 全球射频产品的领导厂商和晶圆代工服务的重要供应商TriQuint半导体公司（纳斯达克：TQNT），日前强调了其铜凸倒装晶片互连专利技术（CuFlip™)的成功，采用其铜凸倒装晶片技术的器件出货量已突破1亿大关。CuFlip (读作Copper Flip) 具有优异的射频性能和设计灵活性，可加快生产和组装速度。TriQuint产量最高的CuFlip™产品是TQM7M5012（HADRON II PA Module™功放模块），助力于全球各种主流的消费电子设备。 发表于：2010/7/14 <…467468469470471472473474475476…>
