头条 宁德时代官宣年内钠离子电池大规模量产 今日在2026年“超级科技日”发布会上，宁德时代首席科学家、中国工程院院士吴凯表示，电池材料坚持多化学体系发展是必选项，每一种材料都有自身局限性，没有任何一种材料可以达到完美。根据不同场景的不同需求，在多元体系上建立能力，用户才能有更适合自己的答案。宁德时代目前主要有磷酸铁锂、三元锂和钠离子三种材料，并同步推进更多前沿化学体系。 最新资讯 热敏电阻中的电流设计 根据一阶电路零状态响应模型所建立的一阶线性非齐次方程可以求出其电流初始值相当于把滤波电容短路而得到的电流值。这个电流就是我们常说的输入浪涌电流，它是在对滤波电容进行初始充电时产生的，其大小取决于启动上电时输入电压的幅值以及由桥式整流器和电解电容其所形成的回路的总电阻。 发表于：2012/1/5 STSTEVAL-ISA018V1150W开关电源解决方案 ST公司的STEVAL-ISA018V1评估板是150W开关电源解决方案,采用高压谐振控制器L6599,输入电压是185V-265VAC或85V-185VAC,输出电压24V+/-2%,输出功率150W,峰值功率240W,安全性满足EN60950,EMI满足EN55014.本文介绍了L6599主要特性,方框图,采用L6599和L656390W适配器电路图以及STEVAL-ISA018V1评估板主要特性,电路图和材料清单. 发表于：2012/1/5 NXPLPC1857ARMCortex-M332位MCU开发方案 NXP公司的LPC1857/53是基于ARMCortex-M3内的32位MCU，具有高达1MB闪存，136kBSRAM，以太网和两个高速USB以及LCD和EMC等。ARMCortex-M3处理器工作频率高达180MHz，内置了支持8个区域的存储器保护单元（MPU）和嵌套向量中断控制器(NVIC)，具有丰富外设，主要用在工业控制，RFID阅读器，电子测量仪器，消费类电子和白色家电。本文介绍了LPC1857/53主要特性和优势，方框图，以及HitexLPC1850评估板主要特性，电路图和元件布局图。 发表于：2012/1/5 2012年全球各地区太阳能需求预测 对于2012年的全球太阳能市场，依照目前的发展，集邦科技（TrendForce）旗下研究部门EnergyTrend认为将是全球太阳能产业界，面对艰困挑战去芜存菁的一年。从政策面来看，目前主要市场的政策走向以总量管制和降低补助金额为主；而新兴市场的政策陆续出炉，但仍待时间蕴酿发酵。另一方面，目前产业链的价格走向在中段外延片到模组领域的现货交易价格仍然偏低，相较于实际生产成本，大部分厂商都处于咬牙苦撑的状况。 发表于：2012/1/5 超高频RFID的电磁兼容性分析 本文对目前中国已经颁布应用许可的840~845MHz频段和920~925MHz频段的RFID应用[4]与相邻频段上其它无线通信系统的电磁兼容性进行了研究，并进行了实际测试。 发表于：2012/1/5 有源钳位正激变换器的理论分析和设计方法 有源钳位正激变换器并非完美无缺，零电压软开关特性也并非总能实现。因而，在工业应用中，对该电路进行优化设计显得尤为重要。本文针对有源钳位正激变换器拓扑，进行了详细的理论分析，指出了该电路的局限性，并给出了一种优化设计方法。 发表于：2012/1/5 满足30mW待机功耗要求的手机充电器解决方案 做一个简单的数学计算，就很容易理解为什么政府机构和手机制造商突然积极致力降低手机充电器的待机功耗了：全球手机用户超过40亿，而其中大多数用户都习惯于即使在电池完全充满并拔掉手机之后，仍然让自己的充电器保持连接状态，因而会继续耗电。根据诺基亚的统计，移动设备使用期间用电量的三分之二是在空载模式下消耗的。 发表于：2012/1/5 类单晶技术及电池组件产品趋向主流 除传统多晶硅和单晶硅外，太阳能业者目前正致力于开发一种兼具单晶和多晶优势的新架构——“类单晶”（Mono-like）技术。综合目前各企业公布的数据来看，目前类单晶硅的平均效率在18%左右。 发表于：2012/1/5 TIStellarisLM3S2000混合动力汽车电池充电器解决方案 TI公司的Level3电动/混合动力汽车电池充电器采用数字功率控制器,通信器件,高性能驱动器以及接口器件.Level3充电器包括从AC产生DC电压的带PFC的AC/DC转换器,DC/DC转换器,其核心器件是实时C2000系列MCU.本文介绍了EV/HEV充电器方框图以及EV/HEV充电器主控制器StellarisLM3S200032位MCU主要特性,方框图,开发板主要特性和方框图,电路图和PCB元件布局图. 发表于：2012/1/5 数字控制电源性能提高的设计方案 在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。 发表于：2012/1/4 <…1125112611271128112911301131113211331134…>
