头条 宁德时代官宣年内钠离子电池大规模量产 今日在2026年“超级科技日”发布会上，宁德时代首席科学家、中国工程院院士吴凯表示，电池材料坚持多化学体系发展是必选项，每一种材料都有自身局限性，没有任何一种材料可以达到完美。根据不同场景的不同需求，在多元体系上建立能力，用户才能有更适合自己的答案。宁德时代目前主要有磷酸铁锂、三元锂和钠离子三种材料，并同步推进更多前沿化学体系。 最新资讯 CD4040手机电磁辐射演示实验电路 手机在使用过程中都向外辐射电磁波。尤其是GSM制式的手机，辐射信号更强。本电路可以演示手机在使用过程中电磁辐射状况。 发表于：2012/7/25 中国出口美国太阳能电池持续下滑 由于欧洲8月份的市场并不明朗，直接影响当前价格，几乎无进一步上涨的空间。然而，大部分产能都已销售完毕，价格目前仍倾向维持平盘，纵使出现下调，但议价空间有限不过，总体跌幅均未超过1%。中国出口美国太阳能电池持续下滑。 发表于：2012/7/25 富士通半导体推出面向便携设备的电源管理芯片MB39C326 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布推出面向便携设备的DC-DC转换器MB39C326，可通过自动切换降压/升压工作模式来扩大工作电压范围。MB39C326通过内置开关FET和采用2.15mm×1.94mm的小型封装构成贴装面积小、物料清单成本低的电源系统，且可通过DAC信号动态控制输出电压，支持APT、ET功能。目前，MB39C326已进入量产阶段。 发表于：2012/7/24 浪涌抑制器集成了理想二极管以实现针对 瞬态电压和电流、以及反向输入和输出的全面保护 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具备理想二极管的浪涌电流抑制器 LTC4364，该器件能以紧凑和低损耗的解决方案在汽车、航空电子和工业系统中为 4V 至 80V 的电子设备提供保护。 发表于：2012/7/24 英飞凌推出面向空间和航空应用高能效电源设计的 抗辐射加固型MOS开关器件 英飞凌科技推出其首个专用于空间和航空应用而设计的电源开关器件。全新BUY25CSXX系列抗辐射加固型（RH）功率MOS器件拥有出类拔萃的性能，可支持面向空间应用的高能效电源调理和电源系统设计。该产品融合了英飞凌在高度可靠的晶体管和高效率MOS开关器件领域的技术专长。总部设在欧洲的英飞凌是适用于卫星通信系统的射频二极管和微波晶体管的全球领先供应商。 发表于：2012/7/24 飞兆半导体新型低功率LED驱动器集成MOSFET 帮助设计人员节省线路板空间并缩短设计时间 随着LED照明市场持续增长，设计人员需要能够适合有限的线路板占位面积、满足电路保护和系统可靠性要求并简化供应链物流，同时符合全球能源法规要求的解决方案。为了帮助设计人员满足这些要求，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩展其LED照明驱动器解决方案产品系列，提供经优化的低功率产品。 发表于：2012/7/24 IR推出采用D2Pak封装的600V车用沟道IGBT 为混合动力和电动车应用提供高功率密度 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 针对混合动力和电动车应用推出600V车用IGBT系列，适用于空调变频器、泵和正温度系数 (PTC) 加热器。 发表于：2012/7/24 AP384XC系列PWM控制器的设计考虑 AP384XC 系列芯片是BCD推出的高性能电流型PWM控制器。和其它竞争对手产品相比，具有低启动电流，低工作电流和内置过温关断保护功能。本文对比和说明了AP384XC与竞争对手产品之间的主要差异及与之相关的关键设计考虑，以消除因对其特性不了解而可能产生的滥用情况。 发表于：2012/7/24 感应电机SVPWM 控制系统的仿真研究 随着电力电子技术和微电子技术的发展，脉宽调制技术(PWM)和正弦脉宽调制技术(SPWM)在电机控制系统中已经得到越来越多的应用。使用SPWM 来控制电机系统，电路结构简单，成本较低，但系统性能不高，电压利用率不高，谐波成分较大。近年来电机的空间矢量理论被引入电机控制系统中，形成了空间矢量脉宽调制技术(SVPWM) ，其原理是就是利用逆变器各桥臂开关控制信号的不同组合，使逆变器的输出空间电压矢量的运行轨迹尽可能接近圆形。SVPWM 与常规的SPWM 相比，能明显减小逆变器输出电压的谐波成分，降低脉动转矩，而且有较高的电压利用率，更易于数字实现[1] ，因而在交流感应电机控制中，应用前景十分看好。 发表于：2012/7/24 单端正激式变换器电路设计 如图所示，当开关管V1导通时，输入电压Uin全部加到变换器初级线圈W1'两端，去磁线圈W1''上产生的感应电压使二极管V2截止，而次级线圈W2上感应的电压使V3导通，并将输入电流的能量传送给电感Lo和电容C及负载；与此同时在变压器中建立起磁化电流，当V1截止时，V3截止，Lo上的电压极性反转并通过续流二极管V4继续向负载供电，变压器中的磁化电流则通过W1''、V2向输入电源Uin释放而去磁；W1''具有钳位作用，其上的电压等于输入电压Uin,在V1再次导通之前，T中的去磁电流必须释放到零，即T中的磁通必须复位，否则，变压器T将发生饱和导至V1损坏。通常W1'=W1''，采用双线并绕耦合方式的占空比<0.5，否则T将饱和。 发表于：2012/7/24 <…979980981982983984985986987988…>
