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12~30 GHz高精度低附加相移数控衰减器设计
所属分类：技术论文
上传者：wwei
文档大小：4998 K
标签：高精度低附加相移数控衰减器
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文档介绍：为了满足宽带微波无线通信系统高精度的设计要求，采用砷化镓（GaAs）0.15 μm PHEMT工艺设计了一款12~30 GHz高精度低附加相移的五位数控衰减器。该衰减器通过级联五个不同衰减位，可实现最小步进为0.5 dB的0~15.5 dB衰减范围，其中0.5 dB衰减位采用简化T型衰减结构，1 dB、2 dB、4 dB和8 dB衰减位采用Lange耦合器式反射型结构。在反射型衰减拓扑结构中提出并采用了层叠开关晶体管技术和电容补偿技术，有效降低了超宽频带内的附加相移，提高了衰减精度。电磁仿真显示，在12~30 GHz频带范围内，参考态插入损耗≤3.8 dB，衰减器的32态衰减均方根误差（Root Mean Square， RMS）小于0.5 dB，典型值仅为0.3 dB，衰减器的32态附加相移不超过±3°，32态端口输入回波损耗与输出回波损耗均大于12 dB。电路尺寸仅为2.95 mm×1.2 mm。
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