飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来AET-电子技术应用-最丰富的电子设计资源平台

飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来
所属分类：解决方案
上传者：aet
文档大小：141 K

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文档介绍：经常有人将磁阻RAM（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory）称作是非易失性存储器的关键技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用。
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