8月4日上午，广东省十三届人大常委会第二十三次会议经表决通过，决定任命王曦为广东省副省长。

　　王曦，1966年8月出生，2001年4月加入中国共产党，1990年6月参加工作，中国科学院上海冶金研究所材料物理专业毕业，研究生学历，工学博士，中国科学院院士，研究员。

　　2009年任中国科学院上海微系统与信息技术研究所党委书记、常务副所长；2019年任科技部副部长、党组成员兼中国科学技术协会副主席。

　　王曦，男，汉族，1966年8月生于上海，江苏南通人，中共党员。中共第十九届中央候补委员。中国科学院上海冶金研究所毕业，研究生学历，工学博士学位，中国科学院院士，研究员，半导体材料学专家。现任广东省人民政府副省长 ，兼中国科学技术协会副主席。

　　1987年王曦从清华大学毕业后进入中国科学院上海冶金研究所学习，先后获得硕士、博士学位；

　　1996年作为访问学者前往德国罗森多夫研究中心；

　　1998年回国担任离子束国家重点实验室主任，同时担任“高端硅基SOI材料”制备研究项目的负责人  ；

　　1999年获得国家杰出青年科学基金资助；

　　2001年参与创建了上海新傲科技有限公司；

　　2007年出任上海新傲科技股份有限公司董事长 ，并担任“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”科技重大专项总体专家组副组长；

　　2009年当选中国科学院院士  ；

　　2010年当选为第11届中华全国青年联合会副主席；

　　2012年被聘为上海市决策咨询委员会成员  ；

　　2016年当选中国科学技术协会第九届全国委员会副主席；

　　2017年出任中国科学院上海高等研究院院长；

　　2018年出任亚洲科学理事会主席。

　　王曦致力于载能粒子束与固体相互作用物理现象的研究，包括先进电子材料和功能薄层材料的研究与开发以及表面工程等。

　　人物评价

　　王曦是中国高端集成电路衬底材料的主要开拓者和领军人物，他长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究，并将其应用于高端集成电路衬底材料SOI的开发，解决了中国急需的航天电子器件的“有无”问题；基于这一核心技术创建了中国唯一的SOI材料研发和生产基地，成功实现了中国SOI材料的产业化，推动了中国微电子材料的跨越式发展。（中国科学院上海分院评）

　　业内人士称：广东集成电路将迎来大发展，历史性时刻

　　科研成就

　　科研综述

　　王曦长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究，并将研究成果应用于电子材料SOI（Silicon-on-insulator）的开发。在对离子注入SOI合成过程中的物理和化学过程研究基础上，自主开发了一系列将SOI材料技术产业化的关键技术，建立了中国SOI材料研发和生产基地。2008年制备出中国第一片8英寸键合SOI晶片，实现了SOI晶片制备技术的重要突破。在载能离子束与固体相互作用以及离子束辅助薄膜沉积技术研究方面，揭示了载能离子作用下薄膜表面微结构、相组分、电子学、光学、生物学特性，实现了载能离子束薄膜生长的可控制性 。

　　科研项目&成果奖励

　　截至2017年，王曦主持完成了包括国家“863”计划“超大规模集成电路配套材料”重大专项项目在内的多个国家级项目，并获得上海市科学技术进步一等奖，国家科技进步一等奖，中国科学院杰出科技成就奖等。

　　成果奖励

　　人才培养

　　截至2012年，王曦在中国科学院上海微系统与信息技术研究所（原中国科学院上海冶金研究所）一共培养博士生10多名，硕士生4名。根据中国科学技术信息研究所、国家工程技术数字研究馆信息、全国图书馆参考咨询联盟，王曦培养学生情况如下