在过去的几周里，包括 Efficient Power Conversion （EPC） Corporation、UnitedSiC 和 Intel 在内的几家行业领先的电子制造商都宣布发布新的 FET 解决方案。这些新的 FET 有望提供比传统硅 MOSFET 更好的表现。

　　虽然 EPC 和 UnitedSiC 改进了基于 GaN 和 SiC 的 FET 的功能，但英特尔通过引入其 RibbonFET 解决方案探索了一种不同的方法来实现更快的晶体管开关速度。

　　场效应晶体管 （FET） 通过其源极端子接收电流，调节其栅极端的电流并允许其通过其漏极端退出。这些器件在高功率开关应用中很有用。本文是市场上一些新 FET 的综述。

　　EPC 的 eGaN FET 满足高计算需求

　　在最近，EPC 指出，工程师将其 EPC2069 eGaN FET 用于一系列应用，包括网通、电信和计算。

　　该设备的一些其他功能包括：

　　功率密度：高达 4000 W/in 3

　　漏源电压 （VGS） : 40 V

　　漏源导通电阻 （R DS（on） ）：1.6–2.5 mΩ

　　高频操作：1 MHz

　　EPC 还表示，新的 eGaN FET 效率超过 98%，尺寸为 10.6 mm 2。该设备的尺寸使其成为高性能和空间受限应用的候选者。

　　EPC2069 的高功率密度能力也证明适用于 48 V–54 V 输入服务器设计。由于它确保最大限度地减少反向恢复损耗和较低的栅极电荷，工程师可以选择最新的 EPC FET 解决方案进行高达 1 MHz 的高频操作。

　　EPC2069 与 DC-DC 转换器次级侧的兼容性还可让设计人员满足高功率密度计算应用的需求，包括重度游戏和人工智能。

　　UnitedSiC 用于硬开关的第 4 代 SiC FET

　　本月，UnitedSiC 宣布发布其第 4 代 SiC FET 系列。这些器件提供6 mΩ的低 R DS（on），提供 5ms 的短路耐受时间额定值。该系列包括 6、9、11、18、23、33、44 和 58 mΩ 额定 750 V SiC FET 器件，采用 TO-247-4L 封装。

　　UnitedSiC 第 4 代 FET 系列的银烧结芯片附着和晶圆减薄技术最大限度地减少了芯片到铸造的热阻，并最大限度地提高了各种应用的功率输出。

　　由于 Gen SiC FET 系列具有强大的压降和恢复速度能力，工程师可以将这些 FET 集成到硬开关操作密集型应用中。UnitedSiC 表示，这些器件在导通电阻和开关效率方面取得了显着改善，使其非常适合 AC/DC 和 DC/DC 转换、功率因数校正、基于能量逆变器的单向和双向功率转换等应用，以及电动汽车充电。

　　英特尔的 RibbonFET 将取代 FinFET 技术

　　在今年的英特尔架构日，该公司讨论了其新的 RibbonFET 晶体管架构，该架构对英特尔现有的 FinFET 技术进行了重大改进。这种业界首创的环栅架构实现使设计人员能够在不考虑电压的情况下最大限度地提高驱动电流控制、开关效率和性能。

　　此外，设计人员可以改变 RibbonFET 高度灵活的带状通道的宽度，以适应多种高性能应用。

　　当前 FET 技术的一个共同挑战是它们无法满足缩小到 5 nm 节点的日益增长的需求。RibbonFET 通过提供用作通道的单层纳米带解决了这一障碍，显着降低了空间受限设计的占用空间。

　　英特尔表示，通过集成 RibbonFET 和其他与电源相关的解决方案，工程师可以提高多种工作负载的计算性能。

　　RibbonFET 的单个纳米带堆栈可以实现与现有 FinFET 技术中的多个堆栈相同的驱动电流，同时提供更小的占用空间。由于设计人员可以改变灵活的带状通道的宽度，他们可以将 RibbonFET 技术融入各种开关、放大和驱动器应用中。

　　硅 MOSFET 与新的 FET 技术

　　与传统的硅 MOSFET 相比，最新的 FET 技术可提供更高的性能、功率密度和开关效率。与传统的 SiC MOSFET 不同，UnitedSiC 最新的第 4 代 SiC FET 技术提供了更好的恢复速度和正向压降，降低了热阻，从而最大限度地提高了输出功率。

　　EPC2069 FET 与硅同类产品相比，提供相对更高的开关频率、更高的效率和更小的占位面积，从而实现更低的开关损耗、零反向恢复损耗和更高的功率密度。

　　同样，RibbonFET 提供高度灵活的通道，可适应更多功率密集型应用。全栅极 FET 架构允许更高的驱动电流控制，这是传统硅 MOSFET 所不具备的。