4 月 1 日消息，三星电子 DS 部门负责人庆桂显近日在社交媒体上表示三星内部正采取双轨 AI 半导体策略，同步提高在 AI 用存储芯片和 AI 算力芯片领域的竞争力。

在 AI 用存储芯片部分，三星组建了由 DRAM 产品与技术负责人 Hwang Sang-joon 领导 HBM 内存产能与质量提升团队，这是其今年建立的第二个 HBM 专门团队。

三星近期在 HBM 内存上进行了大规模的人才投入，旨在赢回因策略失误而被 SK 海力士拿下的 HBM 内存市场领军地位：2019 年，三星因对未来市场的错误预测，解散了当时的 HBM 研发团队。

此外，庆桂显还表示，多家客户有意与三星电子合作开发定制版的下一代 HBM4 内存。

在 AI 算力芯片部分，庆桂显称客户对于 AI 推理芯片 Mach-1 的兴趣正在增长，并有部分客户表达了将 Mach 系列芯片应用于超 1000B 参数大模型推理的期望，因此三星电子将加速下代 Mach-2 芯片的开发。

Mach-1 芯片是一种高能效的 AI 推理芯片，计划于今年末明年初投入应用，韩国 IT 巨头 Naver 考虑大批量购入，交易金额有望达 1 万亿韩元（IT之家备注：当前约 53.7 亿元人民币）。

此外在制程工艺部分，这位 DS 部门负责人表示，三星 2nm GAA 工艺在功耗和性能部分拥有优势，适合 AI 应用，因此已吸引了多家客户在该节点上进行测试芯片的开发。