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消息称三星电子正推动DRAM制程升级
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消息称三星电子HBM4内存逻辑芯片进展较佳
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SK海力士首次超越三星成为全球第一大DRAM供应商
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消息称SK海力士1c nm DRAM内存良率约为80%
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传三星电子考虑对DRAM内存和NAND闪存产品提价3%~5%
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传统DRAM市场竞争激烈 三星利润面临连续三季度下滑
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存储芯片大厂美光宣布也将涨价
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TrendForce预计2025年二季度DRAM价格跌幅收窄
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DRAM价格连续六月下跌
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韩国半导体对华出口暴跌
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美光1γ制程DRAM仅采用了一层EUV光刻
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2024年四季度全球DRAM产业营收环比增长9.9%
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美光宣布1γ DRAM内存开始出货
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三星将LPDDR5速率提高到12.7Gb/s
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三星前高管因涉嫌向中企泄露18nm DRAM工艺被判刑7年
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三星目标2028年推出LPW DRAM内存
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DeepSeek将间接提升国产DRAM竞争力
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传三大DRAM厂商停产DDR3/DDR4
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消息称三星携1b DRAM样品访问英伟达
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2025年1月DRAM价格创近2年来最大跌幅
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三星电子正调整1c nm DRAM内存设计以保障良率
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Omdia：预计 PC/服务器/移动内存价格今年前三季度累计下滑15%
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2025年上半年DRAM价格将下滑10%
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DDR4内存价格持续下跌 NAND闪存减产效果未显现
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三星电子否认重新设计1b DRAM
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消息称三星将从头设计新版1b nm DRAM
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消息称三星电子已将1c nm内存开发良率里程碑推迟半年
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SK海力士有望2月启动业界最先进1c nm制程DRAM量产
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消息称美光将加入16-Hi HBM3E战场
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