10月29日消息，三星电子近日在第三季度财报电话会上确认，其HBM市场份额已追平DRAM业务的全球市占率水平，约40%。这一目标原计划在下半年达成，实际在第三季度便已提前实现。

支撑份额跃升的核心，是HBM4在技术架构上的一次代际跨越。三星没有沿用前代已验证的设计，而是直接导入第六代10纳米级DRAM工艺（1c）与4nm逻辑基底裸片。

这是HBM产品首次将逻辑半导体推进到4nm节点，基底芯片的运算与接口能力被显著放大。

性能指标随之抬升。HBM4单引脚传输速率稳定在11.7Gbps，较JEDEC标准8Gbps高出约46%，并可进一步扩展至13Gbps，较HBM3E的9.6Gbps提升约22%。

同时，单堆栈总带宽最高达到3.3TB/s，是HBM3E的2.7倍。12层堆叠下单堆栈容量覆盖24GB至36GB，16层堆叠方案后续将把容量推至48GB。

能效与散热同步改善。引脚数从1024翻倍至2048带来的功耗压力，被低电压TSV与供电网络优化抵消，HBM4能效较HBM3E提升40%，热阻改善10%，散热能力提升30%。

技术优势正在转化为供应链层面的锁定效应。三星已与10家大型客户签署多年期存储长期供应协议（LTA），另有10家主要客户处于谈判阶段，部分已接近签约。

三星的目标是到2030年将LTA覆盖的产能比例提升至60%至70%。2027年的HBM供应量也已按目标价格完成谈判，实质上处于售罄状态。

HBM4E的节奏同样清晰。第七代产品已向客户交付12层样品，单堆栈容量48GB，引脚速率14Gbps起步、可扩展至16Gbps，带宽最高3.6TB/s，能效较HBM4再提升16%，计划2027年上半年启动量产。