头条 5nm后的晶体管选择：IBM谈nanosheet的新进展 IBM和Leti在IEDM上分别发表了几篇论文，其中包括联合纳米片论文。 我有机会与IBM高级逻辑与内存技术总监Huiming Bu和IBM高级工程师Veeraraghavan Basker一起坐下来聊聊，同时还采访了Leti的高级CMOS实验室负责人Francois Andrieu和流程与集成工程师Shay Reboh，一起谈及了他们的工作。 最新资讯 贸泽电子与格兰特•今原联手推出《让创意走进现实》系列最后一集 揭示代工制造背后的秘密 贸泽电子与格兰特•今原联手推出《让创意走进现实》系列最后一集 揭示代工制造背后的秘密 发表于：2020/1/17 罗姆子公司SiCrystal和意法半导体宣布签署碳化硅晶圆长期供应协议 2020年1月16日 —— 罗姆(东京证券交易所代码: 6963)和横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST; 纽约证券交易所代码:STM)宣布，意法半导体与罗姆集团旗下的SiCrystal公司签署一了份碳化硅（SiC）晶圆长期供应协议。SiCrystal为一家在欧洲SiC晶圆市场占有率领先的龙头企业。协议规定， SiCrystal将向意法半导体提供总价超过1.2亿美元的先进的150mm碳化硅晶片，满足时下市场对碳化硅功率器件日益增长的需求。 发表于：2020/1/16 贸泽电子与格兰特·今原联手推出《让创意走进现实》系列最后一集揭示代工制造背后的秘密 2020年1月16日 – 贸泽电子 (Mouser Electronics) 今天联手明星工程师格兰特·今原发布了让创意走进现实系列的最后一集，这是贸泽屡获殊荣的Empowering Innovation Together （共求创新）计划的最新一期活动。欢迎点击此处，查看观看本期视频。 发表于：2020/1/16 同步关键的分布式系统时，新型Σ-Δ ADC架构可避免中断的数据流 本文介绍了基于SAR ADC的系统和基于sigma-delta (∑-Δ) ADC的分布式数据采集系统同步的传统方法，且探讨了这两种架构之间的区别。我们还将讨论同步多个Σ-Δ ADC时遇到的典型不便。最后，提出一种基于AD7770采样速率转换器(SRC)的创新同步方法，该方法显示如何在不中断数据流的情况下，在基于Σ-Δ ADC的系统上实现同步。 发表于：2020/1/13 2019年纯晶圆代工市场，中国风景独好 中国无晶圆厂IC厂商的兴起为晶圆代工提供了更多的机会。随着过去10年中国无晶圆厂IC公司（例如海思半导体）的兴起，对代工服务的需求也有所增长。下图显示，中国市场是去年唯一的纯晶圆代工销售增长的地区。欧洲和日本的纯晶圆代工市场在2019年均呈现两位数的下滑。 发表于：2020/1/13 5nm后的晶体管选择：IBM谈nanosheet的新进展 IBM和Leti在IEDM上分别发表了几篇论文，其中包括联合纳米片论文。 我有机会与IBM高级逻辑与内存技术总监Huiming Bu和IBM高级工程师Veeraraghavan Basker一起坐下来聊聊，同时还采访了Leti的高级CMOS实验室负责人Francois Andrieu和流程与集成工程师Shay Reboh，一起谈及了他们的工作。 发表于：2020/1/10 具可编程补偿功能的高效率、高密度 PSM μModule 稳压器 FPGA 开发板、以及原型设计、测试和测量应用需要多功能高密度电源解决方案。LTM4678是一款具有数字电源系统管理 (PSM) 功能的 16 mm x 16 mm 小尺寸双路 25 A 或单路 50 A Module 稳压器。该器件具有： 发表于：2020/1/9 改造中国工厂：工业互联网硬核来袭，如何解中国制造之痛 中国工业互联网发展路径，受益亦受限于自身工业发展水平和互联网发展现状，既拥有市场规模巨大、市场需求多元、模式百花齐放等诸多优势，也面临诸多挑战；而政府与市场如何真正形成合力，亦有待进一步求解。 发表于：2020/1/8 CANFD电磁兼容性能分析及改善方案 摘要：CAN总线技术应用领域越来越广泛，但是由于在工业设备、工业自动化等领域，电磁干扰较为严重，保证CAN总线的正常通信尤为重要。本文将介绍搭配高速CAN FD收发器的总线网络电磁干扰的原因分析，及提出的具体改善方案。 一、CAN FD网络下电磁兼容分析 在电子产品的设计中，电磁兼容EMC性能对系统的影响非常大，关系到其能正常稳定运转。世界上已经开始对电子产品的电磁兼容性做强制性限制，电磁兼容性能已经成为产品性能的一个重要指标。 电磁兼容主要有两方面的内容，一个是产品本身对外界产生不良的电磁干扰影响，称为电磁干扰发射EMI；另一个是对外界电磁信号的敏感程度称为电磁敏感度EMS。干扰源、相合途径及敏感设备是电磁兼容的三要素，缺一不可。电磁兼容的详细内容如图1所示。 发表于：2020/1/8 贸泽携手Maxim共同举办工业应用实战巡回研讨会 2020年1月8日－专注于引入新品推动行业创新的电子元器件分销商贸泽电子(Mouser Electronics)宣布将举办“贸泽电子创新技术论坛暨Maxim 工业应用实战巡回研讨会”。本次巡回研讨会已在全国多个城市成功召开，2020年第一场活动于今天落户东莞。贸泽携手多位Maxim技术专家带来行业主题分享，内容包括工业通信接口方案、工业电源与保护技术方案、面向工业应用的模拟信号链路分析、安全芯片在工业中应用等，为到场人员带来不一样的知识收获和技术提升。 发表于：2020/1/8 “如果没坏，就不要修理。”调节固定增益差分放大器的增益 经典的四电阻差分放大器可以解决许多测量难题。但是，总有一些应用需要的灵活性比这些放大器所能提供的更高。由于在差分放大器中电阻匹配直接影响到增益误差和共模抑制比(CMRR)，所以将这些电阻集成到同一个裸片上可以实现高性能。但是，仅仅依靠内部电阻来设置增益，用户就无法在制造商的设计选择之外灵活选择自己想要的增益。 发表于：2020/1/7 MiR自主移动机器人发布AMR部署安全指南更安全的人机协作内部物流新时代即将到来 中国 上海 – 2020年1月6日 – 丹麦发展最快的机器人制造商以及移动机器人全球市场领导者——Mobile Industrial Robots <http://www.mobile-industrial-robots.com/en/>（以下简称：MiR），近期发布了《移动机器人部署安全指南》白皮书，为自主移动机器人在多领域的安全使用提供了前瞻性的指导建议，这也预示着一个能真正确保人机安全协作的崭新时代即将到来。 发表于：2020/1/6 三星官宣首款3nm GAAFET芯片 或2021年前量产 据《韩国经济》杂志报道，三星电子已成功研发出首款3nm工艺芯片，基于全栅极（GAAFET）技术。与三星使用FinFET工艺研发的5nm芯片相比，3nm芯片的总硅片面积减少35%，功耗降低50%，性能提高30% 发表于：2020/1/6 三星计划利用全球首个3纳米工艺制造芯片 据外媒报道，三星电子正在考虑用3nm工艺制造芯片，三星实际领导人李在镕在参观位于京畿道华城的半导体研发中心时，特地探讨了围绕3nm的半导体战略。 发表于：2020/1/3 操纵MCU SPI接口以访问非标准SPI ADC 简介 当前许多精密模数转换器(ADC)具有串行外设接口(SPI)或某种串行接口，用以与包括微控制器单元(MCU)、DSP和FPGA在内的控制器进行通信。控制器写入或读取ADC内部寄存器并读取转换码。SPI的印刷电路板(PCB)布线简单，并且有比并行接口更快的时钟速率，因而越来越受欢迎。而且，使用标准SPI很容易将ADC连接到控制器。 发表于：2020/1/2 «12345678910…»
