《电子技术应用》
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一种基于片上变压器隔离的高CMTI编解码电路
电子技术应用
刘甲俊,李飞
中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要: 随着第三代宽禁带半导体材料的发展,GaN和SiC等新型功率开关管得到了广泛的应用,新型功率管较快的开关速度使得驱动器开关的瞬态电压dV/dt最高至200 V/ns,造成功率管的误开启。为提高隔离驱动的共模瞬变抗扰度(Common Mode Transient Immunity,CMTI),设计了一种结构简单的高CMTI的编解码电路,采用OOK(On-Off Krying)调制结构,编码电路采用负跨导振荡器结构将信号的高电位编码为差分振荡信号,解码电路采用共模点提升电路将差分信号的共模点稳定在VDD/2,仅通过比较器就可将输入信号还原。仿真结果表明,该编解码电路输入信号的速度可达143 Mb/s,差分振荡信号频率为644 MHz,典型传输延时为1.2 ns,应用在某款隔离驱动芯片中,经过实测CMTI最高可达400 V/ns。
中图分类号:TN433 文献标志码:A DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.256683
中文引用格式: 刘甲俊,李飞. 一种基于片上变压器隔离的高CMTI编解码电路[J]. 电子技术应用,2025,51(11):65-70.
英文引用格式: Liu Jiajun,Li Fei. A high CMTI codec circuit based on on-chio transformer isolation[J]. Application of Electronic Technique,2025,51(11):65-70.
A high CMTI codec circuit based on on-chio transformer isolation
Liu Jiajun,Li Fei
The 58th Research Institute of China Electronics Technology Group
Abstract: With the development of the third generation of wide bandgap semiconductor materials, new power switches such as GaN and SiC have been widely used, and the fast switching speed of the new power tubes makes the transient voltage dV/dt of the driver switch up to 200 V/ns, resulting in the false opening of the power tube. In order to improve the Common Mode Transient Immunity (CMTI) of isolated drive, a simple high-CMTI codec circuit is designed, which adopts OOK (On-Off Krying) modulation structure, the coding circuit uses a negative transconductance oscillator structure to encode the high potential of the signal into a differential oscillation signal, and the decoding circuit uses a common-mode point lifting circuit to stabilize the common-mode point of the differential signal at VDD/2. The input signal can be restored only by means of a comparator. The simulation results show that the speed of the input signal of the codec circuit can reach 143 Mb/s, the frequency of the differential oscillation signal is 644 MHz, and the typical transmission delay is 1.2 ns, which is used in an isolated driver chip, and the measured CMTI can reach up to 400 V/ns.
Key words : codec circuits;high CMTI;open key wipe

引言

随着半导体技术和汽车电子的高速发展,隔离驱动芯片已广泛应用在工业控制与自动化领域、通信领域和航空航天等高可靠性应用中[1-5]。其中隔离驱动芯片所驱动的硅基功率器件是应用最广泛的功率器件,但是其性能已经无法进行突破。随着第三代宽禁带半导体材料的发展,GaN和SiC等新型功率开关管较于硅基功率器件具有更小的寄生电容、更快的开关速度和更高的效率,已有替代传统硅基功率器件的趋势。为了充分利用GaN和SiC功率管能提供的高开关频率,隔离驱动芯片必须提高其控制信号的频率,但是频率的增加会导致开关点产生较高的dV/dt和dI/dt,CMTI是隔离驱动的关键性能指标,其决定了芯片的最高工作频率,为了实现更高的开关速度,必须对CMTI的影响因素进行研究,并设计一种高CMTI编解码电路

文献[6-7]采用变压器隔离方案,改善了光耦隔离电流不稳定的传输率和非线性传输,提高了CMTI,但是其编解码方案为脉冲调制,将信号的上升沿和下降沿分别编码为双脉冲和单脉冲,抗干扰能力差,CMTI上限较低,无法满足高开关频率的CMTI要求。文献[8]将上升沿和下降沿分别编码为正负单脉冲,并利用吉赫兹频段谐波的发射器和一个可以检测吉赫兹频段脉冲的接收器,减小变压器面积的同时提升了CMTI,但是CMTI只有35 kV/μs。为解决脉冲调制CMTI上限较低的问题,文献[9]采用OOK的编解码架构,编码电路采用混频器将输入信号和高频载波信号组合一起,为提高CMTI,并采用一种具有源零负载的高性能前置放大器,这种OOK架构振荡器和编码电路分开,并且解码电路结构复杂,面积较大。文献[10]设计一种OOK编解码结构,编码电路由振荡器和混频器组成,采用振荡器和编码电路分离的结构,解码电路由前置放大器、包络检波器和高通滤波器组成,这种结构提高了CMTI,但是消耗了功耗和面积。

针对上述问题,本文基于片上变压器隔离传输的架构,设计一种高CMTI的编解码电路,为了提升CMTI,编解码电路采用开关键控架构,编码电路将信号的高电平编码为差分的振荡信号,并设计共模点提升电路提升衰减后的振荡幅度。为了减小电路的面积和功耗,编码电路采用负跨导振荡器结构,解码电路采用一个比较器就可以将输入信号还原。


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作者信息:

刘甲俊,李飞

(中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏 无锡 204135)


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