12月23日消息，随着美国大力发展本土芯片制造业，英特尔、台积电、三星都在积极扩大在美国的产能。其中，作为“主场作战”的英特尔，其目前在美国本土所拥有的产能无疑是最多的。特别是英特尔位于亚利桑那州钱德勒的Fab 52 晶圆厂，无论是在制程节点的先进程度、技术复杂度，还是规划产能上，都已显著超越台积电目前在亚利桑那州的布局。

据Tom′s Hardware 援引CNBC报导，英特尔Fab 52 是一座专为未来而生的顶级晶圆厂，其核心使命是生产Intel 18A及更先进制程。

为了达成这一目标，英特尔导入两大革命性技术：

RibbonFET 全环绕闸极（GAA）晶体管：这是英特尔在晶体管架构上的重大升级，目的在提升性能并降低功耗。

PowerVia 背面供电网路：通过将供电线路移至晶圆背面，解决了传统正面供电导致的布线拥挤与压降问题。

Intel 18A 的复杂度与精细度，远远超过台积电亚利桑那州Fab 21 第一期N4 或 N5 制程。即使与台积电 N4P 或 第二期工程的 N3 制程相比，Intel 18A 规格依然更具领先性。

已安装4台ASML EUV光刻机，未来整个园区将扩增至15台以上

对于一座先进制程晶圆厂的实力来说，往往取决于极紫外光（EUV）光刻设备。 英特尔Fab 52 安装了四台ASML Twinscan NXE 标准数值孔径EUV 系统。其中至少包括一台NXE:3800E，这是ASML 目前最先进标准数值孔径的EUV 系统。

△英特尔 Fab 52 晶圆厂内的ASML EUV光刻机

据了解，NXE:3800E 包括更快的晶圆传输系统、更高效的晶圆台以及更强大的光源。在30mJ/cm² 的曝光剂量下，NXE:3800E 每小时可处理高达220 片晶圆。相较之下，厂内另外三台NXE:3600D 系统在同样曝光剂量下的产能仅为每小时160 片。

英特尔计划在亚利桑那州的Silicon Desert 园区总共部署至少15 台EUV 光刻设备。虽然目前尚不清楚其中有多少比例会是新一代的High-NA EUV设备，也不清楚会有多少会被分配到即将建设的Fab 62。但至少15 台EUV光刻设备这个数字，表示英特尔拥有极大的空间来进一步扩充其产能上限。

月产能4万片

生产规模方面，英特尔Fab 52 拥有强大的产能。满负载运转时，产能可达每周10,000 片晶圆的，换算后约为每月40,000 片晶圆。以当今产业标准来看，这是一座规模极其庞大的超大型晶圆厂。

相比之下，台积电亚利桑那州Fab 21晶圆厂已经量产的一期工程只有每月20,000片晶圆的产能，因为台积电通常以约每月20,000 片为一个生产产线。这代表着，英特尔Fab 52 的单厂产能，相当于台积电Fab 21 第一期与第二期两个产线的产能总和。

产能利用率及良率挑战

尽管技术与设备处于领先地位，但英特尔与台积电在美国的布局策略存在显著差异，这也带来了不同的营运挑战。

对于英特尔来说，其高风险高回报的模式正利用Fab 52 生产Panther Lake和Clearwater Forest处理器。目前的Intel 18A 技术仍处于良率曲线的早期阶段。英特尔预计要到2027 年初，Intel 18A 的良率才能达到最高水准。在此之前，英特尔可能会刻意控制CPU 的产量，这代表着Fab 52 的产能利用率在短期内将维持在较低水平，部分时间可能会处于闲置状态。

△由英特尔Fab 52制造的基于Intel 18A制程的Clearwater Forest

至于台积电，通过稳扎稳打模式在美国采用的是已经过验证的较成熟制程（如N5/N4）。这种策略使其能够快速提升产量，并让工厂的产能利用率迅速接近100%。

因此，两这两种不同的布局，显示出英特尔在亚利桑那州扮演的是技术开拓者的角色，试图在美国本土直接建立最尖端的技术标竿。而台积电则倾向于将已经成熟的产线转移至美国，以确保商业运行的稳定与效率。

总结来说，英特尔在亚利桑那州的Fab 52 代表了美国本土制造的最先进布局。它拥有更先进的Intel 18A 制程、更强大的EUV 设备群，以及两倍于台积电一期项目的产能潜力。虽然在2027 年良率成熟之前，英特尔在产能利用率上可能无法与台积电匹敌，但Fab 52 的存在确实巩固了英特尔做为美国芯片之王的地位。这场对决最终的胜负，将取决于英特尔能否在2027 年如期达成Intel 14A 制程获得头部的外部客户的订单。