EDA与制造相关文章 Manz 亚智科技FOPLP封装技术再突破 Manz 亚智科技FOPLP封装技术再突破：一是镀铜厚度达100 μm以上，让芯片封装朝着体积轻薄化的演进下仍能使组件具有良好的导电性、电性功能与散热性；二是开发大于5 ASD的高电镀电流密度规格，快速增加镀铜的速度，有效提升整体产能。 发表于：2023/6/29 三星发布芯片代工路线图及未来战略 三星官方于6月27日在第七届三星晶圆代工论坛（SFF）上宣布了最新的芯片制造工艺路线图和业务战略，表示将在2025年量产2nm制程芯片，2027年量产1.4nm制程芯片。有700多名三星的客户和合作伙伴参加了本届论坛，三星表示，GAA先进节点技术将在支持客户发展人工智能方面发挥重要作用。 发表于：2023/6/29 2nm大战，全面打响 在芯片制造领域，3nm方兴未艾，围绕着2nm的竞争已经全面打响。 发表于：2023/6/28 重磅！江波龙拟购买力成科技（苏州）有限公司70%股权 江波龙将通过其全资子公司，收购力成科技股份有限公司全资子公司力成科技（苏州）有限公司70%股权。 发表于：2023/6/27 应用材料公司携精彩主题演讲和成果展示亮相SEMICON China 2023 2023年6月25日，上海——SEMICON China 2023将于6月29日 - 7月1日在上海新国际博览中心举办。同时，中国国际半导体技术大会（CSTIC）2023将在6月26 - 27日在上海国际会议中心举办。作为全球领先的半导体和显示设备供应商，应用材料公司将通过主题演讲和论文展示等方式积极参与SEMICON China和CSTIC，内容涵盖异构集成和功率电子等多个主题。 发表于：2023/6/25 选择合适的集成度来满足电机设计要求 如果您正在设计电机驱动应用，以往您可能会使用如双极结型晶体管 （BJT） 等多个分立式元件来实现电机控制。尽管这种方法通常成本更低，但使用的元件总数更多，占用的布板空间更大，花费的设计时间更长，复杂度也更高。使用多个元件还可能会影响系统可靠性。 发表于：2023/6/16 X-FAB领导欧资联盟助力欧洲硅光电子价值链产业化 中国北京，2023年6月15日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在开展photonixFAB项目---该项目旨在为中小企业和大型实体机构在光电子领域的创新赋能，使其能够轻松获得具有磷化铟（InP）和铌酸锂（LNO）异质集成能力的低损耗氮化硅（SiN）与绝缘体上硅（SOI）光电子平台。在此过程中，模拟/混合信号晶圆代工领域的先进厂商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牵头发起一项战略倡议，旨在推动欧洲半导体和光电子行业获得更大自主权，从而加强欧洲大陆在关键新兴领域的制造能力。 发表于：2023/6/15 英飞凌推出简单易用的 LCC 设计工具，赋能高效 LED 驱动器设计 为了便于工程师的设计，英飞凌（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出了 LCC 设计工具，让工程师的设计工作变得更快速、更轻松。 发表于：2023/6/15 线边缘粗糙度（LER）如何影响先进节点上半导体的性能 由后段制程（BEOL）金属线寄生电阻电容（RC）造成的延迟已成为限制先进节点芯片性能的主要因素[1]。减小金属线间距需要更窄的线关键尺寸（CD）和线间隔，这会导致更高的金属线电阻和线间电容。图1对此进行了示意，模拟了不同后段制程金属的线电阻和线关键尺寸之间的关系。即使没有线边缘粗糙度（LER），该图也显示电阻会随着线宽缩小呈指数级增长[2]。为缓解此问题，需要在更小的节点上对金属线关键尺寸进行优化并选择合适的金属材料。 发表于：2023/6/12 晶圆代工|台积电代工报价曝光：3nm制程19865美元，2nm预计24570美元！ 6月8日消息，国外网友Revegnus (@Tech_Reve)在Twitter上曝光据称是台积电圆代工的报价单，其中一张图片资料来源于已经成立了37年的专业的研究机构The Information Network。 发表于：2023/6/9 半导体|228亿，意法半导体 x 三安光电，他们在谋划什么？ 6月7日，意法半导体和三安光电宣布，双方已签署协议，将在重庆建立一个新的8吋碳化硅器件合资制造厂，全部建设总额预计约达32亿美元（约合人民币228.32亿元） 发表于：2023/6/8 格芯和意法半导体正式签署法国12英寸半导体晶圆新厂协议 中国，2023年6月6日——全球排名前列、提供功能丰富产品技术的半导体制造商格芯（GlobalFoundries，简称GF；纳斯达克证交所代码：GFS）和服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）宣布，双方于2022年7月公布的将在法国Crolles新建一个高产能半导体联营厂的合作，现正式完成协议签署。 发表于：2023/6/7 新思科技与Arm强强联手，加快下一代移动SoC开发 加利福尼亚州山景城，2023年6月5日——为应对低至2纳米的先进制程上高度复杂移动芯片设计挑战，新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，基于Arm 2023全面计算解决方案（TCS23），加强双方在人工智能增强型设计方面的合作。 发表于：2023/6/5 采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机 近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 发表于：2023/6/4 中微公司在TechInsights 2023年客户满意度调查榜单中位列两项第一 中国上海，2023年5月19日--中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，上交所股票代码：688012）宣布在全球技术分析和知识产权服务提供商TechInsights举办的2023年客户满意度调查（CSS）中荣获六大奖项，其中在专用芯片制造设备供应商（THE BEST Suppliers of Fab Equipment to Specialty Chip Makers）和薄膜沉积设备（Deposition Equipment）两个榜单中位列第一。 发表于：2023/5/30 <…240241242243244245246247248249…>
