基于硬件加速器的高性能芯片仿真与验证

基于硬件加速器的高性能芯片仿真与验证[可编程逻辑][通信网络]

展示了一款高性能无线局域网芯片采用硬件仿真加速器进行全芯片仿真与验证的工作。该芯片采用了4发4收多天线、256QAM等技术，最高可以实现1.2 Gb/s的数据吞吐率。由于该芯片设计复杂，规模庞大，只使用传统的软件模拟和FPGA仿真难以实现芯片错误的快速定位与解决。在此情况下，使用硬件仿真加速器Palladium XP提供的全电路仿真方式(In-Circuit Emulation mode，ICE mode)成为了更为有效的方式。在实际应用中一个1 000帧的测试用例可以在20 min内完成，相比传统的软件模拟提高了400倍以上的效率，相比FPGA原型系统验证则能够提供所有所需要的波形供下载分析。该方法大大加快了复杂芯片的设计效率。

发表于：2019/8/13 上午11:56:00

鳍式场效应晶体管结合自热效应的电迁移分析

鳍式场效应晶体管结合自热效应的电迁移分析[电源技术][其他]

在先进工艺节点下，鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺相对于平面技术提供了在功耗、性能与面积上的优势。但相对地，FinFET也会引起局部晶体管电流密度的骤增的问题，这也意味着信号线和电源地网络的金属电迁移可靠性会受到更大的冲击。随着FinFET的热分布对互联金属线的温度影响上升，电迁移失效概率上升的次级效应也由之产生。如今，热效应的影响已经成为了广大设计公司不得不考虑的因素之一，在生产商的引导之下，Cadence Voltus提供了针对热效应带来影响的精准、强大并且灵活的解决方案。基于此点对高平均翻转率的芯片进行热效应影响的检查与分析，并且对电源的结构规划和设计的物理实现进行改进。

发表于：2019/8/12 上午10:06:00

基于Innovus提升芯片性能的物理实现方法

基于Innovus提升芯片性能的物理实现方法[模拟设计][其他]

对于规模日益增大，工作频率不断增加的高性能芯片设计，性能一直是物理设计的重点和难点。缓冲器的插入是为了最小化信号线延时，进而优化时序，提升性能。描述了使用Cadence Innovus工具建立物理设计流程，减少各步骤间的偏差。同时在此流程的基础上提出二次布局优化方法，在16 nm下，通过一个高性能芯片设计验证了该流程与方法，实例结果表明，设计性能得到很大改善，其中时序优化达85.07%，该流程及方法可有效提升高性能芯片性能。

发表于：2019/8/12 上午9:49:00

基于深度学习的人脸活体检测算法

基于深度学习的人脸活体检测算法[嵌入式技术][其他]

身份认证技术有了很大的发展，随之不断出现的是各种伪造合法用户信息的欺诈手段。针对这一问题，提出一种基于深度学习人脸活体检测算法，分析了真实人脸和欺诈人脸之间的区别，将真实人脸和照片进行数据去中心化、zca白化去噪声、随机旋转等处理；同时，利用卷积神经网络对照片的面部特征进行提取，提取出来的特征送入神经网络训练、分类。算法在公开的数据库NUAA上进行了验证，实验结果表明该方法降低了计算的复杂度，提高了识别准确率。

发表于：2019/8/2 下午3:05:00

基于FPGA的深度学习目标检测系统的设计与实现

基于FPGA的深度学习目标检测系统的设计与实现[可编程逻辑][其他]

针对当前深度学习目标检测算法计算复杂度高和内存需求大等问题，设计并实现了一种基于FPGA的深度学习目标检测系统。设计对应YOLOv2-Tiny目标检测算法的硬件加速器，对加速器各模块的处理时延建模，给出卷积计算模块的详细设计。实验结果表明，与CPU相比，CPU+FPGA的异构系统是双核ARM-A9能效的67.5倍，Xeon的94.6倍；速度是双核ARM-A9的84.4倍，Xeon的5.5倍左右。并且，当前设计在性能上超过之前的工作。

发表于：2019/8/2 下午2:52:00

一种改进的RefineDet多尺度人脸检测方法

一种改进的RefineDet多尺度人脸检测方法[可编程逻辑][安防电子]

针对车站、商场等大型场所中客流量大、背景复杂等原因导致多尺度人脸检测精度低的问题，建立了一种基于RefineDet多层特征图融合的多尺度人脸检测方法。首先利用第一级网络进行特征提取并在不同尺度的特征图上粗略预估人脸位置；然后在第二级中通过特征金字塔网络将低层特征与高层特征融合，进一步增强小尺寸人脸的语义信息；最后，通过置信度和焦点损失函数对检测框进行二次抑制，达到边框的精确回归。实验中将人脸候选区域的宽高比只设置为1:1，以此来降低运算量并提高人脸检测精度。在Wider Face数据集上的实验结果表明，该方法能有效检测不同尺度的人脸，在Easy、Medium、Hard 3个子数据集上测试结果分别为93.4%、92%、84.4%的MAP，尤其对小尺寸人脸的检测精度有明显提高。

发表于：2019/8/1 下午1:47:00

基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管

基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管[微波|射频][工业自动化]

为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件，优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构，在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术，制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性： 峰值电流密度＞400 kA/cm2， 峰谷电流比(PVCR)＞2.4。

发表于：2019/8/1 下午1:40:00

基于VO2相变特性的THz波动态调控研究进展

基于VO2相变特性的THz波动态调控研究进展[微波|射频][工业自动化]

太赫兹(Terahertz，THz)波位于光子学向电子学的过渡区域，在高速宽带通信、雷达、成像等领域具有重要应用前景。但目前用于THz波动态调控的器件仍比较缺乏，这在一定程度上限制了THz技术的发展。VO2具有独特的金属—绝缘体相变特性，相变过程可以应用于动态调控THz波传输。探索超材料与VO2结合以制备高效、动态、灵活的太赫兹功能器件也是近来的研究热点。简述了VO2的相变特性，并分析了微观结构和化学成分等因素对相变特性的影响；系统回顾了VO2薄膜相变过程中的THz波调控性能研究进展，总结了VO2与超材料不同结合方式在THz波动态调控方面的应用；并对基于VO2相变特性的THz波调控功能器件发展前景与挑战进行了展望。

发表于：2019/7/31 下午2:18:00

太赫兹固态放大器研究进展

太赫兹固态放大器研究进展[微波|射频][工业自动化]

随着半导体技术的发展，晶体管特征频率不断提高，已经进入到太赫兹（THz）频段，使得固态器件可以在THz频段工作。THz放大器可以将微弱的信号进行放大，在THz系统中起着关键作用。介绍了基于氮化镓(Gallium Nitride，GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)器件、磷化铟(Indium Phosphide，InP)HEMT器件和InP异质结双极晶体管/双异质结双极晶体管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor，HBT/DHBT)器件的THz单片放大器研究进展。

发表于：2019/7/31 下午1:52:00

车路协同的云管边端架构及服务研究

车路协同的云管边端架构及服务研究[通信与网络][通信网络]

对智能交通业务的发展趋势、车路协同技术及系统要求以及国内外发展现状进行了介绍；同时重点阐述了智能网联交通体系之车路协同云管边端架构方案，介绍了中心云、交通专网/电信网络、边缘云、车载/路侧终端协同的“云-管-边-端”统一架构，同时提出了基于云管边端架构的车路协同多源数据融合信息服务能力开放框架，并对其具体功能要求、API调用方式进行了详细论述。

发表于：2019/7/30 上午11:50:00