3 月 31 日消息，参考了《日经 XTECH》当地时间 30 日刊文，日本先进半导体制造商 Rapidus 首席技术官石丸一成近日接受了该媒体的采访，表示目标到 1nm 先进制程节点将落后于台积电的时间缩短到半年左右。

石丸一成坦承，该企业在 2025 年 7 月宣布启动 2nm GAA 试制时晶体管的表现并不令人满意，整个过程相对仓促，工艺技术和生产设备都尚未完全准备就绪；不过在去年 9~11 月的快速改进中 Rapidus 的 2nm 性能得到了显著提升。该企业计划从 2026 年底开始生产客户设计的 2nm 测试芯片，为 2027 年的量产打下基础。

而对于衔接 2nm 和 1nm 的 1.4nm 节点，Rapidus 计划 2026 年内开始全面开发，目标 2029 年量产。Rapidus 将延续与 IBM 的深度合作，其一半工程师位于美国纽约州，参与联合研发。

关于Rapidus

由日本经产省牵头，软银、索尼、丰田等8家日本大公司共同筹办，成立于2022年8月10日。公司地址位于日本东京都千代田区，董事长为东哲郎，社长兼首席执行官为小池淳义。

主要从事半导体元件、集成电路等电子零部件的研究、开发、设计、制造及销售，同时研究、开发环保节能半导体和半导体制造技术。

2022年12月6日，与比利时微电子研究中心（IMEC）签署技术合作备忘录。

12月13日，与IBM公司建立战略合作伙伴关系，共同开发2纳米节点技术。

2023年2月，选定在札幌附近的千岁市兴建2纳米芯片工厂。

4月，日本经产省决定向其额外提供2600亿日元补贴。

2024年6月初，与IBM在2nm制程领域的合作从前端扩展到后端，共同开发芯粒（Chiplet）先进封装量产技术。

12月底，Rapidus北海道工厂接收ASML极紫外光刻机设备。

2025年4月，使用与IBM合作开发的配方，基于IBM的纳米片晶体管结构，启动并测试了其2纳米节点芯片的试验线。

7月18日，宣布已在其创新集成制造工厂（IIM-1）启动2纳米全环绕栅极（GAA）晶体管结构的原型试制，原型晶圆并已启动电性参数测试。