imec构建全球首个High NA EUV光刻量子点量子比特器件
2026-05-20
来源：IT之家
5 月 19 日消息，比利时校际微电子研究中心 imec 当地时间今日宣布，在本周举行的 ITF World 国际半导体技术展览会上，其发布了全球首个采用 High NA EUV 光刻技术制造的量子点量子比特器件，这也应该是首个 High NA EUV 工艺集成硬件器件。
▲ 图源：imec
imec 表示，与硅基标准计算机芯片生产工艺基本兼容的硅量子点自旋量子比特是一种有工业化量产潜力的量子比特方案。其将电子限制栅极层纳米结构中，以被捕获电子的自旋状态存储量子信息。
为了限制环境噪声对量子比特的干扰，各个栅极之间的间隙必须尽可能小，而 imec 借助 ASML 的 High NA EUV 光刻机实现了仅 6nm 的通道门-势垒门间隙。
本站内容除特别声明的原创文章之外，转载内容只为传递更多信息，并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题，请及时通过电子邮件或电话通知我们，以便迅速采取适当措施，避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话：010-82306118；邮箱：aet@chinaaet.com。