| 倒置PNP管实现耐高反向电压的高端理想二极管设计 | |
| 所属分类：技术论文 | |
| 上传者：wwei | |
| 文档大小：4908 K | |
| 标签： 高端理想二极管 倒置状态 反向击穿电压 | |
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| 文档介绍：由于高端理想二极管的MOS管栅源极和BJT管发射结耐反向电压能力较弱，外接高反向电压时可能被击穿，为解决此问题，该设计针对“PMOS主管+PNP对管”等技术方案进行改进，采用稳压二极管和倒置工作状态的BJT管，研发出具备耐高反向电压特性的高端理想二极管。该电路由PMOS主管、比较器、保护电路等构成，稳压二极管用于保护PMOS主管栅源极，比较器前端的PNP辅管V2被设计为倒置工作状态用于保护其发射结，改进后的电路等效为高端理想二极管。经过对两种技术方案电路原理分析与软件仿真验证，结果表明，两种方案均具备防止电流倒灌的功能，而该设计改进的电路结构简洁，可承受更高的反向击穿电压，且仅需增加少量物料成本，实用性较强。 | |
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