| PMOS对管实现耐高逆向电压的高端理想二极管设计 | |
| 所属分类：技术论文 | |
| 上传者：wwei | |
| 文档大小：3750 K | |
| 标签： 高端理想二极管 稳压管 反向击穿电压 | |
| 所需积分：0分积分不够怎么办？ | |
| 文档介绍：针对电流倒灌问题，提出了PMOS主管与PNP对管的电路改进设计方案。该电路主要由PMOS主管、比较器电路以及保护电路等部分组成。比较器电路的作用在于对比输入端电源VCC与输出端电源Vout的数值大小，其输出的比较信号连接至PMOS主管的栅极，以此控制PMOS主管的导通与截止状态。保护电路借助二极管较高的反向击穿电压以及单向导通特性，采用电阻分压、稳压二极管等分压电路，设计出三种高端理想二极管电路，并针对分压电阻的取值范围进行理论推导以及软件仿真验证。研究结果显示，所设计的三种电路具备防止电流倒灌、耐受高反向电压等功能，能够对前级电路起到保护作用，且具有电路结构简单、成本低的优势。 | |
| 现在下载 | |
| VIP会员，AET专家下载不扣分；重复下载不扣分，本人上传资源不扣分。 | |
Copyright © 2005-2024 华北计算机系统工程研究所版权所有 京ICP备10017138号-2