头条 东风汽车全新固态电池下半年量产装车 6月9日，“武汉经开区”官方账号宣布，下半年东风全新一代固态电池将量产装车。该款电池能量密度可达350Wh/kg，是国内率先实现规模化应用的高能量密度固态电池，配套的新能源车型纯电续航有望突破1000公里。该电池移除易燃电解液改用固体电解质，可从根源降低起火爆炸风险，采用量产落地速度快的氧化物-聚合物复合技术路线，成本更低且和现有车企产线适配度高。东风该款固态电池全核心技术自研率达100%，此前已完成多轮严苛测试与示范运营，累计安全行驶里程超320万公里，后续研发团队将攻关前沿电池技术，规划2027年实现下一代高比能电池装车。 最新资讯 一种大功率LED驱动电源设计方 大功率区域照明存在不少挑战，如灯具可能难以接近、光源发生故障时可能带来安全问题、户外存在多种极端环境条件等。此外，不容忽视的是，应用于大功率区域照明的现有光源(如金属卤素灯、高压钠灯、线性荧光灯及紧凑型荧光灯)存在着不少局限，如高压钠灯的显色性差(CRI约为22)，金属卤素灯的典型灯具损耗较高(40%)且其从启动到发光至完整亮度经历的时间可能长达10分钟，线性荧光灯的冷温度性能差，紧凑型荧光灯的启动速度也较慢。 发表于：2011/8/19 FreescaleMK30X256单相电表参考设计方案 Freescale公司的MK30X256是集成了段式LCD控制器的低功耗基于100MHzARMCortex-M4内核的MCU,支持多达320段LCD.K30系列采用创新的90nm薄膜存储(TFS)闪存技术和FlexMemory(EEPROM),提供一流的低功耗和混合信号集成,器件提供1.25DhrystoneMIPSperMHz的性能,工作电压和闪存写入电压均为1.71-3.6V,多达16路DMA,主要用在自动调温器,智能仪表,心率监视仪和血气分析仪.本文介绍了K30MCU主要特性和优势,方框图以及MQXTM+ 发表于：2011/8/19 基于电流传感器的太阳能装置设计 当太阳能电池板所产生的电能反馈回电网时(一个“电网连接”系统)，可以采用两种连接方式：将太阳能电池组件与逆变器连接，经变压器接入电网，或者将逆变器直接与电网连接，避免使用变压器(无变压器系统)。 发表于：2011/8/19 革命性“混合超级电容”可望实现电池技术跨越式进步 Ioxus Inc.日前发布了一种重大的电池结构改良，将有助于缩减半导体和电池技术之间的差距──传统电池技术由于必须依赖无法改变的化学反应，成长脚步一直落后于半导体。 发表于：2011/8/19 PowerintLNK417EG15W离线LED驱动电源方案(DER284) Powerint公司的LinkSwitch-PH系列大大地简化了实现功率因素大于0.9,TRIAC调光和高效率的LED驱动器的设计.器件集成了725V功率MOSFET,连续模式PWM控制器,用于自偏压的高压开关电流源,频率抖动,逐个周期限流和滞后热关断电路,最适合用于离线LED驱动器.本文介绍了LinkSwitch-PH系列产品亮点,功能方框图,14W和7WLED驱动器电路图,以及采用LNK417EG无电解电容高效率(≥90%)PFC大于0.9的15WLED驱动器参考设计电路图,主要指标和材料清单 发表于：2011/8/19 变频器控制原理图设计及其故障分析 变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。我们现在使用的变频器主要采用交—直—交方式（VVVF变频或矢量控制变频），先把工频交流电源通过整流器转换成直流电源，然后再把直流电源转换成频率、电压均可控制的交流电源以供给电动机。变频器的电路一般由整流、中间直流环节、逆变和控制4个部分组成。整流部分为三相桥式不可控整流器，逆变部分为IGBT三相桥式逆变器，且输出为PWM波形，中间直流环节为滤波、直流储能和缓冲无功功率。 发表于：2011/8/19 设计方案 :用于LED路灯的高效率电源驱动器(附图） 近年来，随着大功率白光LED技术的发展，照明产业开始面临新的机遇与挑战。LED越来越多地被应用于通用照明领域，道路照明则是其中一个极具潜力的重要应用领域。由于LED本身所特有的长寿命、潜在的高光效的特征，设计一款能够充分发挥此特征的高效率恒流驱动电源则显得尤为重要。 发表于：2011/8/19 有源纹波补偿BUCK型LED驱动电路设计 本文提出一种有源纹波补偿BUCK 型LED 驱动电路。该电路无需使用大容量电解电容，所需要的小容量电容可以采用能量密度较小的新型长寿命电容，利用有源补偿技术抑制输出纹波电流。由于取消电解电容的使用，可以使电路寿命增长，稳定性提高，便于集成，电路易小型化。 发表于：2011/8/19 一种带隙基准电压源的设计与仿真 设计了一款带隙基准电压源，基于0．18μm的CMOS工艺，在Hspice下仿真，仿真结果表明，温度在-25～80℃内变化时，温度系数为9．14×10-6℃；电源电压在3～5 V之间变化时，基准电压在1 250±43 mV内变化，满足设计要求。 发表于：2011/8/19 基于不同VTH值的新型CMOS电压基准 本文利用高电源抑制比电路设计的和式偏置电流源进一步提高了电源抑制比，并利用NMOS和PMOS管的两个阈值电压VTHN和VTHP具有相同方向但不同数量的温度系数，设计了一种基于不同VTH值的新型CMOS基准。该设计充分利用CMOS器件高输入阻抗、低功耗的特点，利用相同电流减少了载流子迁移率对温度性能的影响，利用VRHN和VTHP温度系数抵消原理和高电源抑制比和式电流源，大大降低了基准的温度系数，提高了电源抑制特性，使电路的性能得到优化。 发表于：2011/8/18 <…1273127412751276127712781279128012811282…>
