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19~21 GHz GaAs高线性功率放大器MMIC
所属分类：技术论文
上传者：wwei
文档大小：5134 K
标签：自适应稳压偏置冷模高线性
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文档介绍：基于0.15 μm GaAs高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺研制了一款19~21 GHz的高线性功率放大器单片微波集成电路。高峰均比信号传输场景中，功率放大器的效率和线性度对射频前端性能具有关键影响。该放大器在功放栅极级联冷模线性化电路，以补偿放大器辐相失真特性，进而实现线性度和效率的提升，为克服冷模对电压敏感问题，采用片上有源稳压及温度补偿偏置电路扩展动态范围，降低大动态失真，抑制工艺离散、外部离散等带来的线性度恶化问题。测试结果表明，在19~21 GHz频带内，饱和输出功率为22.3~22.8 dBm，饱和功率附加效率为35.3%~36.5%。在19 GHz、20 GHz和21 GHz频点，输出功率19 dBm时，三阶互调失真均小于-30 dBc；6 dB峰均比、100 MHz正交频分多路复用的64-QAM调制信号激励下，平均输出功率及对应的功率附加效率为19 dBm和27%，实现了-31.9 dBc、-33.2 dBc和-31.2 dBc的邻道功率比及4.32%、4.13%和5.3%的误差矢量幅度。
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