| X波段负载不敏感高效率非对称式放大器MMIC | |
| 所属分类:技术论文 | |
| 上传者:wwei | |
| 文档大小:4532 K | |
| 标签: 氮化镓 负载不敏感功率放大器 非对称阻抗匹配 | |
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| 文档介绍:为了应对天线阻抗变化,基于非对称拓扑电路结构,设计了一款功率放大器。该功率放大器采用0.25 μm GaN HEMT工艺,在8~12 GHz频段内高效率且具有负载不敏感特性,实现了高效率、小尺寸与良好负载不敏感特性三者之间的平衡。在连续波测试条件下,该芯片在8~12 GHz频段内,饱和输出功率为42.1~43.3 dBm,功率附加效率为46.8%~55.5% 。当负载失配(电压驻波比为3:1)时,频段内输出功率的变化幅度均值为2.2 dBm。 | |
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