消费电子最新文章

继苹果之后 三星加快去高通化

5月25日消息，苹果计划将完全自主研发的5G基带芯片应用到iPhone 18全系机型当中，彻底结束多年来对高通基带产品的外部依赖。三星也在加快推进去高通化步伐，将于明年上半年发布Galaxy S27系列，延续分区域市场推出骁龙版本和Exynos版本的双芯并行策略，其搭载2nm工艺自研Exynos 2700的Exynos版本供货比例从上一代的25%提升至50%。受2nm晶圆制造成本飙升、DRAM存储价格上涨等因素影响，手机厂商利润空间被压缩，三星最终目标为全线Galaxy产品配备自研Exynos处理器，若落地将重构全球高端手机芯片市场现有竞争格局。

发表于：2026/5/26

SK海力士发布控温散热存储技术“iHBM”

5月26日，SK海力士发布名为iHBM的控温散热存储技术。该技术核心为新开发的冷却元件ICE，采用绝缘、高导热性硅基材料制成，不同于传统HBM产品依赖核心芯片向外导热的间接散热方式，iHBM将ICE直接嵌入发热最集中的D2D PHY区域构建专用排热通道，相比传统方案热阻降低30%以上，有效提升严苛环境下的产品运行稳定性。该技术采用已广泛验证的先进MR-MUF晶圆级封装工艺，可实现规模化稳定量产，且兼容现有系统级封装环境，导入门槛较低。SK海力士计划将该技术应用于HBM5等下一代产品，满足高性能计算及AI数据中心等场景的散热管理需求。

发表于：2026/5/26

美光HBM4产出效率暴涨2倍 明年量产HBM4E已锁定

5月25日消息，据报道，美光第六代高带宽内存HBM4产能爬坡进展顺利，其产能提升速度较上一代HBM3 12层产品实现2倍增长，且良品率优化速度显著加快。

发表于：2026/5/26

华为韬定律从手机SoC杀入AI

5月25日，华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波署名的论文《A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems》已提交至中国科学院科技论文预发布平台，详细介绍韬（τ）定律。该定律是自登纳德缩放定律以来，首个在整个计算栈建立统一优化目标的缩放原理，不再将晶体管面积作为技术进步的核心衡量指标，转而以“时间”为核心，采用单一特征时间常数τ作为统一优化目标，覆盖跨越十二个数量级的整个计算体系。论文展示两个量产级别验证案例：移动SoC领域逻辑折叠技术可实现55%的晶体管密度提升、41%的能效增益，AI系统相关协同设计技术栈预计2035年实现超100倍硬件集成度增长，2030年前后韬定律将切入AI赛道，昇腾990将首次把逻辑折叠技术引入AI加速器领域。

发表于：2026/5/26

烟山科技全球首条8英寸MicroLED IDM产线投产

5月25日，烟山科技年产MicroLED新型显示器件项目在德清工厂正式投产，全球首条从外延到先进封装的8英寸硅基氮化镓MicroLED IDM量产线实现通线。该产线依托烟山科技自主研发的硅基氮化镓平台与混合集成工艺，实现全链路自主可控，具备光提取效率高、加工良率优、连通率超6N等核心优势，可大幅降低MicroLED芯片的生产成本与量产门槛。投产后将形成年产300万颗MicroLED器件的产能，可广泛应用于AR/VR、车载显示、高端大屏等场景，项目达产后预计年产值将突破3亿元，标志着我国MicroLED产业突破关键制造瓶颈，迈入规模化量产新阶段。

发表于：2026/5/26

三星罢工再生变故 非半导体部门申请法院禁令

5月25日消息，据报道，以三星电子非半导体DX部门（含手机、家电、电视）为主的三大工会，向水原地方法院申请临时禁令，要求停止2026年劳资暂定薪资协议的全员投票程序，投票原定5月27日上午10点截止。

发表于：2026/5/26

全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型诞生

5月25日消息，据当地媒体报道，三星电子近期利用单元多层键合(CMB)技术连接两片450层3D NAND，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。

发表于：2026/5/26

618选购指南！斯帝沃推出专业除甲醛空气净化器A9

2026年斯帝沃重磅首发A9升级款，以四重催化分解技术、双风道极速循环、10年免换分解滤网、0臭氧母婴安全、5年0耗材成本五大核心优势，精准覆盖新房、母婴家庭、全屋、卧室、办公室等新装修中大户型场景。

发表于：2026/5/25

华为麒麟2026芯片官方剧透 晶体管密度提升53.5％

5 月 25 日消息，在今日的国际电路与系统研讨会（ISCAS 2026）上，华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波表示，将于今年秋季面世的麒麟手机芯片率先采用了逻辑折叠（LogicFolding）技术，性能大幅提升。根据演讲的 PPT 内容，华为麒麟 2026 芯片（未公布正式名称）相比传统的 2D 设计芯片，晶体管密度提升 53.5%，达到 238 MTr / mm²，P 核能效提升 41%，峰值频率提升 12.7%。

发表于：2026/5/25

四层面拆解华为半导体韬定律玄机

5月25日消息，在今天的国际电路系统研讨会ISCAS 2026上，华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波发表了指导半导体产业发展的新原则韬定律。

发表于：2026/5/25

全球具身智能专利近20万件 中国贡献超过一半

日前，智慧芽创新研究中心发布《2026年具身智能技术发展报告》显示，当前全球具身智能专利累计数量已达近20万件，正式进入创新爆发期，其中，中国已成为全球具身智能技术创新主力，累计申请约10.3万件专利，贡献全球过半的相关专利。

发表于：2026/5/25

英特尔将推动AI CPU架构变革 转向专门构建硅芯片

5月23日消息，Intel股价近一年涨幅超五倍，核心驱动因素为AI时代CPU重要性大幅提升，CPU与GPU配比将调整为1:1，改变过往1颗CPU对应4到8颗GPU的配角定位。 Intel CEO陈立武在摩根大通全球会议上披露相关规划：将推动CPU架构变革，转向专门构建的硅芯片，对外与SambaNova合作布局加速器业务，内部推进自有AI研发计划，选择竞争不充分的赛道在性能、功耗、软件层面打造差异化优势，布局系统级全栈优化，同时关注I/O高速连接、光学技术领域机会，还将联合内存厂商优化内存、招募相关人才。目前相关AI CPU产品无明确落地时间，若两三年内专属AI设计的CPU未能落地，Intel或将错失相关机会。

发表于：2026/5/25

122TB SSD，华为展示新板级封装技术

5月24日，华为在巴黎IDI Forum 2026活动上，展示基于自研Die-on-Board板上裸片封装（DoB）技术的大容量SSD系列，目前已量产61.44TB和122.88TB两款产品，245TB版本处于规划中。 华为无法获取采用美国技术生产的最新3D NAND芯片，改用国内本土厂商生产的NAND闪存，通过该技术绕开3D NAND层数竞赛，跳过NAND芯片独立封装环节，单位空间容量密度提升33%，突破传统封装16层堆叠物理限制，最高可实现36层裸片堆叠。经专项技术攻关后该技术实现规模化商用，已全面应用于华为企业级存储产品线，大幅缩小华为存储产品与国际厂商的差距，为国产存储开辟了绕开3D NAND层数限制的新路径。

发表于：2026/5/25

苏姿丰：中国市场已占AMD全球总营收20%

5月24日消息，苏姿丰近日表示，中国内地市场当前占公司全球总营收约20%，是AMD全球布局中重要的组成部分，公司将持续深化在华合作与投入。

发表于：2026/5/25

HBM与GPU将采用分离封装+光互联架构

为解决人工智能（AI）芯片所面临的“内存墙”这一长期挑战，根据韩媒zdnet报导，内存封装领域正在讨论将图形处理单元（GPU）或ASIC计算单元和高带宽内存（HBM）拆分开来进行独立封装，然后通过“光学互联”技术来连接它们，可以将当前8颗HBM的安装数量提升到现在的数倍。

发表于：2026/5/25