消费电子最新文章 表面波激励的金属褶皱微波加热装置研究 针对传统微波炉驻波分布不均引发的加热不匀、能量利用率低等问题，基于人工表面等离激元原理，设计了含H面波导喇叭天线激励装置与金属褶皱慢波结构的新型微波炉。研究确定了激励装置核心设计参数，提出了一种阵列式金属褶皱结构。经仿真验证，该结构在2.45 GHz中心频率下可激励出均匀表面波，腔体内横向电场均匀性宽度达210 mm，纵向高度达150 mm，2.45~2.46 GHz工作频段内反射系数小于-10 dB，空载及不同负载条件下均能实现均匀加热。制作样机实测后，证实该微波炉有效改善了传统微波炉的驻波缺陷，样机能效达52%，加热均匀性与能量利用率表现良好，为新型微波炉的结构设计与性能优化提供了新的方案和实验依据。 发表于：2026/7/23 梁文锋谈DeepSeek取舍 只押一条AGI主线 在7月23日公开的投资者交流整理稿中，他把这些"不做"归到同一个词——克制。DeepSeek要用更少的产品线、更有限的商业目标和更稳定的研究组织，把资源集中到通用人工智能（AGI）上。 发表于：2026/7/23 近200家硅谷公司反对封禁中国开源模型 7月23日消息，近200家硅谷公司致信特朗普政府，反对切断美国开发者对中国开放权重AI模型的访问。与此同时，英伟达CEO黄仁勋也公开表示，美国企业应获准使用优秀的中国开放模型。 发表于：2026/7/23 美国刚刚通过新规：禁售含华为中兴等关键硬件的设备 7月23日消息，美国联邦通信委员会（FCC）当地时间22日通过新规，禁止在美国销售含有华为、中兴及旗下子公司等中国企业关键硬件的设备，此新规目的是堵住此前长期存在的组件漏洞。 发表于：2026/7/23 OpenAI总裁首次评价Kimi K3 还提到了中美模型差距 据彭博社报道，OpenAI总裁格雷格·布罗克曼(Greg Brockman)承认，月之暗面已开发出了一款具有竞争力的新AI模型，并表示他不确定这家中国公司是否借助了OpenAI的技术。 发表于：2026/7/23 Coosea酷赛智能把“懂当地人”做成了AI手机的核心竞争力 Coosea酷赛智能没有沉迷于参数竞赛,而是选择了一条更务实也更具挑战的道路:扎根新兴市场,用技术精准适配本地需求,让AI从冰冷的工具变成听懂用户的伙伴 发表于：2026/7/23 铁威马F4-425 Pro以AI系统重塑家用存储体验 铁威马F4-425 Pro四盘位AI NAS，依托全新TOS 7原生AI系统与均衡硬件配置，打造家用进阶、轻创作领域的全能存储标杆，为大众用户提供一站式私有存储解决方案。 发表于：2026/7/23 三星混合键合HBM延至2029年 7月22日消息，据外媒Wccftech报道，随着高带宽内存（HBM）持续朝更高堆叠层数与更高带宽演进，市场普遍认为混合键合（Hybrid Bonding）为下一代HBM关键封装技术。不过韩国业界消息传出，三星可能将混合键合HBM大规模量产时间延后至2029至2030年，并与英伟达下一代Feynman AI GPU平台同步导入。 发表于：2026/7/23 英伟达详解Vera CPU 专为智能体AI构建 英伟达昨日（7 月 21 日）发布博文，从技术角度详细介绍了 Vera CPU，专为智能体 AI（Agentic AI）场景设计。 发表于：2026/7/22 SK 海力士回应收购英特尔美国晶圆厂传闻 7 月 22 日消息，韩国媒体《中央日报》今日早些时候报道称，SK海力士正在与英特尔就收购后者位于美国俄亥俄州的新建晶圆厂进行谈判，计划未来在美国实现存储芯片前端制造。 发表于：2026/7/22 全球三大存储芯片厂商正式开启HBM4良率竞争 7月22日，据财闻海外资讯，三星电子、SK海力士（SKHY.US）与美光科技（MU.US）三大存储芯片厂商全面展开HBM4良率竞争。作为第六代高带宽内存，HBM4将应用于英伟达（NVDA.US）下半年推出的Vera Rubin等AI加速芯片，成为下半年企业业绩关键支撑。 发表于：2026/7/22 美方喊话三星电子和SK海力士分享超额利润 在半导体超级周期的提振下，近期三星电子与SK海力士均交出亮眼业绩。公开数据显示，三星电子2026年第二季度营业利润预估约89.4万亿韩元，第一季度实际营业利润达57.2万亿韩元，同比暴增756%；SK海力士一季度营业利润37.61万亿韩元，营业利润率高达72%，连续四个季度创新高。目前，SK海力士尚未公布今年二季度业绩，预计将在7月下旬公布相关财报。 发表于：2026/7/22 英伟达与Meta押注AI材料 联合发力半导体底层基材研发 7月21日消息，据The Guardian，Meta与英伟达将共同参与英国AI初创公司CuspAI的核心材料发现项目，致力于推动半导体行业下一代制造材料的突破性研发。 发表于：2026/7/22 NAND Flash紧缺压力有望于2027年下半年缓解 7月21日消息，根据市场研究机构TrendForce最新公布的2026年7月NAND Flash每月数据分析报告显示，随着AI需求爆发，加上NAND Flash产能增加有限，市场持续呈现供给紧缺状态。展望2027年，来自服务器的需求持续强劲，在供应商提升制程、整体供给位元增速未见放缓，以及消费类电子市场仍处于低迷的情况下，预估NAND Flash供应紧缺的情况有望于2027下半年获得改善。 发表于：2026/7/22 2026主流随身wifi品牌对比，陷阱拆解与避坑指南 目前市面上华为、波导、小米、联想、中国联通等品牌各有打法，赫电作为合规资质自持、全场景覆盖的专业随身WiFi品牌，通过赫电Pro版、赫电极光5G版（5G高速触控旗舰随身WiFi）、赫电Max版三款产品覆盖不同的使用需求。 发表于：2026/7/21 <…45678910111213…>
