工业自动化最新文章 商务部回击欧盟《工业加速器法案》 据商务部网站周一发布消息，商务部新闻发言人就欧盟《工业加速器法案》相关问题答记者问。商务部表示，商务部4月24日向欧委会正式提交了对欧盟《工业加速器法案》的评论意见，表达了中方正式立场和严正关切。中方认为，法案对外商投资电池、电动汽车、光伏、关键原材料四大新兴战略行业设置了诸多限制性要求，并在公共采购和公共支持政策中设置了“欧盟原产”的排他性条款，构成了严重的投资壁垒和制度性歧视。商务部表示，中方将密切关注相关立法进程，并愿与欧方就此进行对话沟通。如欧方无视中方建议，执意推动其成法，并因此损害中方企业利益，中方将不得不进行反制，坚决维护中国企业合法权益。 发表于：2026/4/27 3D DRAM验证成功 AI内存将迎来革命 4月23日，美国新创人工智能和存储技术厂商NEO Semiconductor正式宣布，其3D X-DRAM技术已成功完成概念验证（Proof-of-Concept，POC），证明这种新型3D堆叠内存可以利用现有的3D NAND Flash生产线进行制造，为AI时代的高密度、低功耗、低成本内存解决方案铺平了道路。 发表于：2026/4/27 英特尔公开销售残次品CPU 客户罕见排队抢购 4月27日消息，客户正在疯狂买买买，甚至包括一些有缺陷的CPU芯片。Intel2026年第一季度财报业绩大幅超预期引发关注。据报道，该公司已证实，已将原本会被当作废品处理的低质CPU推向市场获利，而面对极度旺盛的行业需求，下游客户对这些芯片照单全收，甚至出现了抢购的情况。 发表于：2026/4/27 佳能Q1净利大跌 全年光刻机销量目标上调 2026年4月23日，佳能公布了2026财年第一季度财报。在存储芯片价格持续飙升的冲击下，这家影像与办公设备及光刻机巨头的盈利能力受到严重挤压：一季度净利润同比大跌33.1%，同时将全年营业利润预期下调约5%，低于市场预期。受此影响，佳能4月24日股价在东京市场一度大跌近8%。 发表于：2026/4/27 Omdia预测全球半导体收入2026年增长62.7% 4 月 24 日消息，Omdia 英国当地时间 23 日发布最新预测，认为今年全球半导体收入将接近 1.4 万亿美元，整体同比增幅达到 62.7%。存储器仍将是 2026 年最为火热的市场，机构认为当前的供应瓶颈要到 2027 年中后期才会出现实质性的缓解。该机构认为今年 DRAM 内存市场规模将接近翻倍，而 NAND 闪存领域更是有可能达到 2025 年的 4 倍。 发表于：2026/4/24 三星工会4万人集会 股东隔街“反罢工” 4月23日，在韩国京畿道平泽市三星电子平泽园区前，三星电子工会联合斗争总部组织了一场名为“透明变革，实现取消工资上限——4月23日斗争决议集会”的活动。 发表于：2026/4/24 消息称伊朗冲突致溶剂短缺 扰乱日本光刻胶供应链 受关键溶剂短缺影响，日本光刻胶及其他光刻材料的生产正被扰乱。鉴于日本在光刻工艺材料领域占据绝对主导份额，市场担忧该影响或将进一步蔓延至韩国芯片制造业。 发表于：2026/4/24 汉普智造以PCBA制板为支点，撬动硬件创新全链路服务 深圳汉普智造科技有限公司（Hanputek）作为一家专注于电子制造服务的领先企业，正以PCBA制板为坚实支点，构建起覆盖硬件创新全链路的一站式解决方案。凭借15年以上工程团队的深厚积累和珠三角专业SMT工厂布局，汉普智造不仅提供高精密PCB制板服务，更帮助全球客户从原型验证快速迈向规模化生产，助力服务器、智能医疗、智能机器人、通讯、汽车和工业自动化等多个领域的硬件创新加速落地。 发表于：2026/4/24 台积电再转移2大核心技术到美国 4月23日消息，在日前的北美技术论坛上，台积电不仅宣布了A13、A12、N2U等新工艺技术，同时还谈到了台积电在美国的芯片布局战略。对于在美国建厂，业界一直的担心是美国成本太高，是否会影响台积电的利润，这主要反映在良率上，CEO魏哲家表示台积电在美国亚利桑那州的芯片工厂进展顺利，良率已经跟台积电本土工厂相当。 发表于：2026/4/24 台积电再次推迟导入ASML最新光刻设备至2029年 4月23日消息，近日，台积电(TSM.US)表示，为节省成本，将推迟到2029年之后才会将荷兰阿斯麦公司(ASML.US)最先进的芯片光刻设备用于量产，这可能会对这家昂贵设备的制造商构成打击。 发表于：2026/4/23 世界首座金刚石半导体量产工厂预计2028年全面投运 4 月 23 日消息，据日本地方媒体福岛民友新闻社当地时间 21 日报道，该国企业大熊钻石器件公司表示，其建设的福岛县双叶郡大熊町工厂预计 2028 年投运。 发表于：2026/4/23 力积电正与美光合作开发1P制程DRAM内存 4 月 22 日消息，中国台湾地区半导体企业力晶积成电子制造股份公司（力积电、PSMC）昨日举行 2026 年第 1 季度线上法人说明会。该企业会上表示已与美光启动 1P 制程 DRAM 内存的联合研发，预计 2027Q1 导入设备、2028H1 试产、2028H2 量产。 发表于：2026/4/23 台积电揭示A13和A12尖端逻辑制程工艺 4 月 23 日消息，台积电 (TSMC) 美国当地时间 22 日举行了 2026 年北美技术论坛，其中在尖端逻辑制程方面该企业揭示了 A14 后的 A13、A12 尖端工艺，这两项技术均将于 2029 年量产。 发表于：2026/4/23 马斯克称计划采用英特尔14A工艺制造Terafab芯片 当地时间4月22日（周三）美股盘后，特斯拉（TSLA.US）发布2026年第一季度财报，并于当天举行投资者电话会议。特斯拉CEO马斯克表示，公司计划在其Terafab项目中使用英特尔（INTC.US）的先进14A制造工艺来制造芯片。这一消息推动英特尔股价美股盘后涨超3%。 发表于：2026/4/23 绕过ASML天价光刻机 台积电公布最新技术路线 4月23日消息，据媒体报道，台积电周三公布了其最新一代芯片制造技术，并透露，即便不使用阿斯麦昂贵的新一代光刻设备，也能制造出更小、更快的芯片。 发表于：2026/4/23 <12345678910…>
