美光" title="美光">美光科技有限公司(Micron)宣布，美光与太阳微系统公司(Sun Microsystems, Inc.，下称Sun公司)合作开发了新的单层单元(SLC)企业级N技术，能够大幅延长企业级应用的闪存存储使用寿命。双方通过合作，开发了可重复写入次数达100万次的量产" title="量产">量产型设备。这一里程碑将有助于行业为Sun、美光等公司创造的固态存储的新用途做好准备。采用这项新技术，可写入/擦除次数能达到市场上现有N技术的最高水平。

    美光公司" title="美光公司">美光公司存储器事业部副总裁Brian Shirley说，“美光很高兴能与Sun公司合作取得这一成绩，这能使闪存摆脱过去标准单层单元和多层单元N在可写入/擦除次数方面固有的种种限制，得以应用于新的应用产品。我们相信，这一技术将彻底改变企业存储的格局，将广泛应用于固态驱动器" title="固态驱动器">固态驱动器与存储系统、磁盘缓存以及网络和工业应用等各类事务密集型应用。”

    Sun公司闪存首席技术专家Michael Cornwell说，“随着企业级固态驱动器闪存技术" title="闪存技术">闪存技术的市场不断成熟，Sun公司等企业将技术创新与下一代开源软件相结合，推出基于闪存的存储产品。这类产品的形式大为简化，性能也有明显突破，但成本仅为传统的磁盘存储系统的一小部分。作为闪存式存储解决方案领域的领先企业，Sun公司与美光公司密切合作，设计出了这项新一代N技术，让客户从现在开始就能利用下一代闪存技术。”

    美光公司目前提供其企业级N闪存试用产品，存储密度最高达32Gb。产品预计于2009年一季度投入量产。美光公司还准备明年初采用其34nm N工艺，推出单层单元和多层单元这两种形式的企业级N产品。