《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 其他 > 新品快递 > IR 推出采用新型 WideLead 封装的车用 MOSFET 系列,可减少 50% 引线电阻,同时提高 30% 电流

IR 推出采用新型 WideLead 封装的车用 MOSFET 系列,可减少 50% 引线电阻,同时提高 30% 电流

2011-05-24
作者:IR 公司
关键词: 车身电子 MOSFET 电阻

    全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封装的车用 MOSFET 系列,与传统的 TO-262封装相比,可减少 50% 引线电阻,并提高 30% 电流。

    这款新型车用 MOSFET 系列适合需要低导通电阻 (Rds(on)) 的通用大负荷/高功率通孔应用,内燃机 (ICE) 汽车电动助力转向系统和电池开关,以及各类微型和全混合动力汽车。新器件采用 IR 先进的硅和封装技术,在显著提高性能的同时可与现有的设计标准相匹配。
    在标准 TO-262 通孔封装中,除了 MOSFET 导通电阻,源极和漏极引线电阻可增至1mΩ。新 WideLead TO-262 通孔封装可将引线电阻降至不到 0.5 mΩ,大大减少了引线中的传导损耗和热量,在特定的工作温度下,比传统的 TO-262 封装的电流承载能力高30%。根据评估,在直流电为 40A 和 60A 的条件下,WideLead 引线温度比标准 TO-262分别低 30% 和 39%。此外,随着其它封装技术的提高,WideLead 比标准 TO-262 封装中的同等 MOSFET 少传输 20% 导通电阻。
    IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新型 WideLead TO-262 封装的设计灵感来自于DirectFET® 封装超低芯片自由阻抗的出色性能,以及传统 TO-262 封装的各种局限性。IR 新型 WideLead 封装中的 MOSFET 新系列在传输高电流的同时,大大降低了引线中的传导损耗和自身热量,从而为汽车应用提供了一个坚固可靠的解决方案。”
    所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念,并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。
    新器件符合 AEC-Q101 标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的。它环保、无铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。


    有关产品现已接受批量订单。相关产品资料、应用说明和认证标准请访问 IR 网站 www.irf.com 。现有 Spice 模型供申请。

本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。