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两种常见的MOSFET驱动电路设计
摘要: 两种常见的MOSFET驱动电路设计。
Abstract:
Key words :

由分立器件组成的驱动电路((如图所示),驱动电路工作原理如下:

  A.当HS为高电平时,Q7、Q4导通,Q6关闭,电容C4上的电压(约14V)经过Q4、D3、R6加到Q5的栅极,使Q5导通。在导通期间,Q5的源极电压(Phase)接近电源电压Vdc,所以电容两端的电压随着Phase电压一起浮动,电容C4亦称为自举电容。Q5靠C4两端的电压来维持导通。

  B. 当HS为低电平时,Q7、Q4关闭,Q6导通,为Q5的栅极提供放电回路,从而使Q5很快关闭。当Q5关闭后,由于下管的开通或负载的作用,使得Phase电压下降接近0V,从而使C4经过+15V→D2→C4→GND回路充电,为下一次导通做好准备。

  C. 当LS为低电平时,Q8、Q11导通,Q10关闭,驱动电路通过R11为下管Q9的栅极充电,使Q9导通。

  D. 当LS为高电平时,Q8、Q11关闭,Q10导通,为Q9的栅极提供放电回路,使Q9关断。

  E. 当HS和LS同时为高电平时,上管开通下管关闭。当HS和LS同时为低电平时,上管关闭下管开通。在实际应用中,为了避免上下管同时开通,HS和LS的逻辑要靠MCU或逻辑电路来保证。

  半桥驱" title="半桥驱">半桥驱动芯片组成的驱动电路

  半桥驱动芯片组成的驱动电路如图所示,工作原理如下:

  A.当HS和LS同时为高电平时,HO有驱动电压输出,使Q1开通。当HS和LS同时为低电平时,LO有驱动电压输出,使Q2开通。

  B.电容C2与分立器件驱动电路里的C4作用相同,同样为自举电容。

  C.电容C1为去藕电容,为抑制功率MOSFET" title="MOSFET">MOSFET开关时对驱动电路浮动电源部分的干扰,一般应加上此电容。

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