1月10日消息，知情人士透露，为2012年做准备的TD-LTE双模终端芯片的MTnet测试已结束，包括联芯科技等在内的3家厂商通过了测试，即将参加第二阶段的TD-LTE规模技术试验，今年预计将把TD-LTE芯片下行速率提高至最高150兆/秒。

    据悉，截至2011年12月，由工信部与中国移动(微博)组织的TD-LTE规模技术试验，已完成第一阶段测试，第二阶段测试已经开始布局，计划于今年第一季度开始，目前正在选择城市范围，传将增加4个城市参与TD-LTE规模技术试验。

    参与测试的大唐电信集团旗下联芯科技透露，2011年举行的TD-LTE第一阶段测试主要是采用单模终端，而第二阶段已确定普遍采用多模终端测试，这被认为是我国无线通信由3G迈向4G的重要技术验证阶段。

    目前，联芯科技等3家厂商已于12月底成功通过各项技术测试，成为首批入围MTnet测试第二阶段双模技术验证的芯片厂商。另两家可能为海思和创毅视讯。

    已知的消息是，联芯科技采用的TD-LTE/TD-SCDMA双模解决方案DTivy1760是单芯片双模方案，可以支持双模重选、自动切换功能，同时可以带来成本的优化和功耗的降低。

    据悉，基于该方案的TD-LTE/TD-SCDMA一款双模测试数据卡产品LC5760也参与到MTnet内场和外场测试，已可满足TD-LTE组网的各项指标要求，基本性能或达到早期商用要求。

    在LTE未来的规划上，联芯科技表示将推出更加先进工艺的LTE芯片，可支持TD-LTE/FDDLTE/TD-SCDMA/GGE多模自动切换，支持下行150兆/秒，上行50兆/秒的数据吞吐率，更能满足国际市场开拓需求。