宾夕法尼亚MALVERN——2009年9月10日——日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET——SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。新型SiB457EDK采用了TrenchFET^? Gen III P沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。该项前沿技术可实现极其精细、亚微米线宽工艺，将目前业界P沟道MOSFET的最低导通电阻减小了将近一半。 

　　随着这种新器件的发布，采用四种表面贴装封装类型的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET现已供货，其中包括耐热增强型PowerPAK^? SO-8封装，它可在SO-8占位面积中实现低至1.9m?的业界最低的导通电阻。SiB457EDK采用PowerPAK ^?SC-75封装，是该系列中是迄今最小的器件，在1.6mm×1.6mm占位面积中实现了业界最低的导通电阻。其RDS(on)值从4.5V的35m?到1.5V的130m?。与具有相同额定电压的最接近的P沟道器件相比，这些新的SiB457EDK在4.5V和2.5V电压下的导通电阻降低了42%，在1.8V电压下的导通电阻则降低了46%。 

　　TrenchFET Gen III P沟道MOSFET有助于在各种应用中节约能源，如笔记本电脑和工业/通用系统中的适配器和负载开关，以及手机、智能手机、PDA和MP3播放器等便携式设备的充电电路中的负载开关。每平方英寸装入十亿个单元的工艺实现了低导通电阻，这项重大技术突破意味着更低的传导损耗、节省功耗和延长两次充电之间的电池寿命。下表总结了目前发布的TrenchFET Gen III P沟道器件的主要规格。 

　　SiB457EDK规定了四个栅极至源极电压条件下的导通电阻额定值，包括使设计以较小的输入电压实现较高的安全裕量的1.5V额定值。同时，其紧凑的PowerPAK SC-75封装可减少电源电路所需的空间，为其他产品功能或实现更小的最终产品开辟了空间。SiB457EDK还采用了2500V典型ESD保护，可减少现场故障，同时具有在VGS = 8V条件下仅为5μA的低漏电流。 

　　P沟道TrenchFET Gen III功率MOSFET系列为无卤素产品，符合IEC 61249-2-21、RoHS指令2002/95/EC，以及100%的Rg测试要求。关于该系列的进一步资料可浏览http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。 

　　新型SiB457EDK TrenchFET功率MOSFET已提供样品，并已实现量产，大宗订单的交货时间为10至12周。 

VISHAY SILICONIX简介

　　Vishay Siliconix 是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET^?）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET(LITTLE FOOT^?)。 

　　创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能(PowerPAK^?) 和更小空间(ChipFET^?，MICRO FOOT^?)新的封装选择。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。 

　　Siliconix创建于1962年，在1996年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。 

VISHAY简介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。