全球功率半导体和管理方案领导厂商– 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。
全新的功率MOSFET具备极低的导通电阻(RDS(on))，能够大幅降低传导损耗。新产品可以作为N及P通道配置里的20V或30V器件，最大栅极驱动从12Vgs到20Vgs不等。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“采用TSOP-6封装的IR全新功率MOSFET系列，与采用SOT-23和SO-8封装的现有器件相辅相成，为客户设计系统提供了更大的灵活性。这个平台拥有极低的导通电阻，因而这些新器件能够取代封装尺寸较大的MOSFET，有助于减少电路板面积和系统成本。”
所有新器件均达到第一级潮湿敏感度(MSL1) 业界标准，并符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)，不含铅、溴化物和卤素。
产品规格
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器件编号 (- TRPbF) |
BVDSS |
VGS最大值 |
25ºC时的最大Id |
典型/最大导通电阻(mΩ) |
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10V |
4.5V |
2.5V |
||||
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IRFTS9342 |
-30V |
20V |
5.9A |
31/39 |
53/66 |
NA |
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IRLTS2242 |
-20V |
12V |
6.9A |
N/A |
26/32 |
45/55 |
|
IRLTS6342 |
30V |
12V |
7.8A |
12/20 |
15/24 |
|
|
IRFTS8342 |
30V |
20V |
8.2A |
15/19 |
22/29 |
N/A |
新器件正接受批量订单。相关数据及MOSFET产品选型工具，请浏览IR的网站www.irf.com。
商标
IR®和HEXFET®是国际整流器公司(International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。
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IR简介
国际整流器公司(简称IR，纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗(电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。
IR 成立于1947 年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR 全球网站：www.irf.com，中国网站：www.irf.com.cn。