在现今的汽车应用中，设计人员需要把大电流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性负载，这类应用包括：白炽灯、电机控制和加热器件等。现在要实现这一目的，设计人员不得不依赖分立式或机电式解决方案，或是受制于市场上数量有限的解决方案。
全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出一款专门为汽车车身电子提供先进电气负载控制的智能高侧开关系列。该系列器件集成了保护和诊断功能以减少元件数量并简化印刷线路板设计，提供了替代分立式MOSFET的解决方案，同时提高系统的可靠性。
FDDS100H06_F085智能高侧开关是一款带有电荷泵、接地参考CMOS兼容输入和诊断输出并集成式保护功能的N沟道功率MOSFET。FDDS100H06_F085具有诊断反馈能力，提供了系统控制选项，以便在各种故障情况下最大限度地减小影响。
FDBS09H04A_F085A和FDDS10H04A_F085A是采用N沟道功率MOSFET器件的智能高侧开关，具有电荷泵、电流控制输入和带负载电流感测的诊断反馈功能，并采用集成式Smart Trenchchip-on-chip技术。
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产品型号 |
描述 |
RDS(ON) |
电流负载(A) |
电源电压(V) |
封装 |
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FDBS09H04A_F085A |
带有电荷泵、电流控制输入和诊断反馈功能的高侧N沟道功率MOSFET |
9 mΩ |
48 |
5.5V至38V |
TO263_7L |
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FDDS10H04A_F085A |
带有电荷泵、电流控制输入和诊断反馈功能的高侧N沟道功率MOSFET |
10 mΩ |
41 |
5.5V至38V |
TO252_5L |
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FDDS100H06_F085 |
带有电荷泵、接地参考CMOS兼容输入和诊断输出并集成保护功能的高侧N沟道功率MOSFET。 |
100 mΩ |
3 |
5.5V至37V |
TO252_5L |
智能高侧开关系列器件具有内部自保护功能，可以在过热、负载短路、负载突降和过压情况下防止对终端系统造成损坏，为严苛的汽车应用提供高可靠性。
通过AEC汽车标准认证的FDDS100H06_F085、FDBS09H04A_F085A和FDDS10H04_F085A具有限流、短路保护、极低的待机功耗和ESD保护功能。这些器件还具有经优化的电磁兼容性能。
FDDS100H06_F085和FDDS10H04_F085A采用TO252-5引脚封装，FDBS09H04A_F085A则采用TO263-7引脚封装。
飞兆半导体凭借在功率半导体器件和模块封装方面的专有技术，结合广泛的测试、模拟及高质量制造能力，能够提供在最严苛的汽车环境中(包括引擎盖下应用)可靠工作的产品。飞兆半导体的工程专有技术和工具涵盖了设计和分析的各个方面，包括仿真能力、结构分析、热机械分析、模流分析，以及器件和封装故障分析。
飞兆半导体：解决方案助您成功！
价格：订购1,000个
FDDS100H06_F085 每个1.13美元
FDBS09H04A_F085A 每个1.95美元
FDDS10H04A_F085A 每个1.90美元
供货:按请求提供样品
交货期: 收到订单后8至12周内
编辑注：产品的PDF 格式数据表可从此网址获取：
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDDS100H06_F085.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDBS09H04A_F085.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDDS10H04A.pdf
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