随着功率需求增加以便为高密度嵌入式DC-DC电源提供更多的功能，电源工程师面临着在较小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率的挑战。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm²低侧高双功率芯片非对称N沟道模块FDPC8011S，帮助设计人员应对这一系统挑战。

FDPC8011S专为更高的开关频率的应用而开发，在一个采用全Clip封装内集成1.4mΩSyncFET^TM 技术和一个5.4mΩ控制MOSFET、低质量因子的N沟道MOSFET，有助于减少同步降压应用中的电容数量并减小电感尺寸。该器件具有源极朝下和低侧MOSFET可以实现简单的布局和布线，提供更紧凑的线路板布局并获得最佳的散热性能。FDPC8011S具有超过25A的输出电流，与其它普通3x3mm² 双MOSFET器件相比，输出电流容量提高了2倍。

要了解更多的信息及索取样品，请访问公司网页：http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDPC8011S.html

特性和优势

·        控制N沟道MOSFET  R_DS(ON) = 5.4mΩ 典型值，(最大7.3mΩ)V_GS = 4.5V

·         同步N沟道MOSFET  R_DS(ON) = 1.4mΩ 典型值，(最大2.1mΩ )V_GS = 4.5V

·         低电感封装缩短上升/下降时间，实现更低的开关损耗

·         MOSFET集成实现最佳布局，降低线路电感并减少开关节点振铃

·         满足RoHS要求

新增3.3x3.3mm² Power Clip 非对称双MOSFET是飞兆半导体齐全的MOSFET产品系列的一部分，它能够为电源设计人员提供了大量针对任务关键性高效信息处理设计的解决方案。

飞兆半导体：解决方案助您成功！

价格：订购1,000个

FDPC8011S       每个1.60美元

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飞兆半导体公司简介

美国飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor；纽约证券交易所代号：FCS) －全球营运、本地支持、创新观念。飞兆半导体专为功率及便携设计提供高能效、易于应用及高增值的半导体解决方案。我们帮助客户开发差异化的产品，并以我们在功率和信号路径产品上的专业知识解决他们遇到的困难技术挑战。查询更多信息，请访问网站：www.fairchildsemi.com。