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IR推出采用 TO-220 fullpak 封装、坚固可靠的车用功率MOSFET

2012-06-20

 

全球功率半导体和管理方案领导厂商– 国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列,适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。

在N和P通道配置中,该新型55V平面器件可作为标准和逻辑电平栅极驱动MOSFET来使用,提供的最大导通电阻(Rds(on))低达8mΩ。TO-220 fullpak封装无需额外的绝缘硬件,所以能够简化设计和提高整体系统可靠性。

 

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新MOSFET系列基于IR已被验证的平面技术,采用TO-220 fullpak封装,在线性模式和汽车应用中都表现良好,这其中需要坚固耐用且可靠的MOSFET来驱动高电感负载。”

 

所有IR车用MOSFET产品都遵循IR要求零缺陷的汽车质量理念,并经过了动态和静态器件平均测试及100%自动晶圆级目视检查。AEC-Q101标准要求器件在经过1,000次温度循环测试后,导通电阻变化幅度不能超过20%。然而,经过延长测试后,IR的新AU物料单在5,000次温度循环时的最大导通电阻变化低于10%,体现了该物料单的高强度和耐用性。

 

新器件符合AEC-Q101标准,所采用的材料环保、不含铅,也符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)。

 

产品规格

 

标准栅极驱动

器件编号

封装

V(BR)DSS (V)

10VGS时的最大导通电阻(mΩ)

TC25°C 时的ID最大值(A)

10VGS时的QG典型值(nC)

AUIRFI3205

TO-220 FullPak

55

8.0

56

113

AUIRFIZ44N

TO-220 FullPak

55

24

28

43

AUIRFIZ34N

TO-220 FullPak

55

40

19

23

AUIRFI4905

TO-220 FullPak

-55

20

-74

120

 

 

 

逻辑电平栅极驱动

器件编号

封装

V(BR)DSS (V)

4.5VGS时的最大导通电阻(mΩ)

TC25°C时的ID最大值(A)

4.5VGS时的QG典型值(nC)

AUIRLI2505

TO-220 FullPak

55

8.0

58

130

 

新器件正接受批量订单。相关数据和认证标准,请浏览IR的网站www.irf.com,IR还根据客户需求提供Spice模型。

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