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罗姆开发出用于DC/DC转换器的耐压30V功率MOSFET,产品阵容扩充达16种

实现业界最高级别的开关性能
2012-06-20

 

日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)面向服务器、笔记本电脑以及平板电脑等所使用的低耐压DC/DC转换器,开发出了功率MOSFET。

新系列的产品阵容为耐压30V的共16种产品。罗姆独家的高效特性,有助于各种设备的DC/DC电源电路实现更低功耗。另外,根据不同用途提供3种小型封装,可减少安装面积,更加节省空间。

关于生产基地,前期工序在罗姆的总部(日本京都市),后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国),从2012年4月开始出售样品(样品价格30~50日元/个),从5月份开始以月产100万个的规模进行量产。

 

近年来,随着服务器和笔记本电脑等的高性能化发展,CPU等的功耗不断增加,工作电压越发低电压化,设备的电源电路的温升和电池驱动时间减少已成为很大问题。在这种情况下,在同期整流方式降压型DC/DC转换器等各种电源电路中内置功率MOSFET,使之承担与提高电源的电力转换效率直接相关的重要作用。为了实现高效低损耗的功率MOSFET,降低导通电阻和栅极容量是非常重要的,然而权衡两者的关系后,往往很难同时兼顾。

 

新系列产品,除了进一步微细化,采用罗姆独家的低容量构造和新的“沟槽式场板结构”,同时实现了低栅极容量与低导通电阻。作为DC/DC转换器用功率MOSFET的性能指数所使用的“FOM”与传统产品相比降低了50%,达到了业界顶级的高效性。由此,不仅降低了同期整流型DC/DC电源电路的高边(High Side)的开关损耗,而且降低了低边(Low Side)的导通损耗,可大大提高电路整体的效率。另外,能够在高频下进行同期整流动作,使外围部件的小型化成为可能。

此外,本产品为了确保在同期整流电路中的性能,针对Rg(栅极电阻)、UIS(L负载雪崩耐量)实施了100%试验,在质量方面也具有高可靠性。罗姆今后也将充分发挥独创的先进工艺加工技术,不断推进设想到客户需求的晶体管产品的开发。

 

<特点>

1)  低导通电阻、低容量

进一步微细化,同时,采用罗姆独家的低容量构造和新的“沟槽式场板结构”,实现了低容量与低导通电阻兼备的元件。与罗姆传统产品相比,表示功率MOSFET的性能指数的“FOM”数值可降低50%。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2)  实现业界顶级的高效率

在同期整流型DC/DC电源电路中采用此次的功率MOSFET,可大大降低电力损耗,因此有助于设备的更低功耗。特别是高频下的特性卓越,使外围部件的小型化成为可能。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3)  采用小型封装,有助于更加节省空间,产品阵容中还包括复合封装

根据不同用途,提供3种小型封装。HSMT8比HSOP8的安装面积减少了65%,为节省空间做出巨大贡献。而且,产品阵容中还包括DC/DC电源电路中的高边(High Side)用MOSFET与低边(Low Side)用MOSFET复合化的新封装HSOP8(Dual)。不仅安装面积减小,而且还可有助于减少安装次数。

 

 

 

 

 

 

 

<规格>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

<术语解说>

・DC/DC转换器

将直流电压转换为直流电压的电源电路。例如,将服务器和电脑等设备内部的12V标准电压转换为使微处理器和存储器等IC工作的各种电压(5V~0.9V等)。

 

・FOM(Figure of merit)

表示功率MOSFET性能的指数,以Ron×Qgd的数值表示。数值越小越优异。