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Microchip推出首款5V工作、1 Mb容量和80 Mbps速度的 业内容量最大、速度最快器件,扩展串行SRAM产品组合

同时推出成本显著低于其他任何非易失性SRAM、FRAM或并行SRAM的 8引脚封装电池备份非易失性串行SRAM
2012-08-07
关键词: 存储器 SRAM

 

    全球领先的整合单片机、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布,推出四款业内容量最大、速度最快的新器件,扩展了其串行SRAM产品组合。这些器件还是业内首批5V工作的产品,广泛适用于汽车和工业应用。这些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了产品组合的低功耗和小型8引脚封装,成本较低,10,000片起批量供应。通过四路SPI或SQI™协议可实现高达80 Mbps的速度,为卸载图形、数据缓冲、数据记录、显示、数学、音频、视频及其他数据密集型功能提供所需的近乎瞬时数据传送及零写入时间。

    该系列中的另外两个成员——23LCV512和23LCV1024——通过电池备份提供了业内无限耐用性、非易失性RAM最具成本效益的选择。事实上,凭借其40 Mbps的快速双SPI(SDI)吞吐量以及低运行电流和休眠电流,这些串行NVSRAM器件可以高速工作,没有并行NVSRAM高引脚数的缺点,其功耗可媲美FRAM,且价格更为低廉。这将有利于电表、黑匣子及其他数据记录应用,这些应用需要无限耐用性或瞬时写入以及非易失性存储。

    Microchip存储器产品部副总裁Randy Drwinga表示:“在设计过程的某个阶段,大多数嵌入式应用需要更大的RAM。这些最新的1 Mb SRAM使设计人员能够以比转而采用更大存储容量单片机或处理器低得多的成本弥补这一不足,而且还比并行SRAM的功耗和成本更低、引脚数更少。对于需要非易失性RAM的应用,我们还首度增加了有电池备份的两款器件,其成本明显低于任何其他类型非易失性RAM。” 

    Drwinga补充道:“由于并行器件的成本、电路板空间占用和功耗都较高,EEPROM市场已经完全转向串行接口,而闪存市场正在迅速进行这一过渡。我们期望SRAM跟随这一趋势,Microchip的串行SRAM产品组合恰恰为嵌入式市场提供了令人信服的选择。”

开发支持

    Microchip正在开发一款PICtail™子板,与其Explorer系列模块化PIC®单片机开发板及XLP 16位开发板配合使用。该子板预计在2013年2月推出。该子板将可演示Microchip最新串行SRAM系列易失性和非易失性器件的功能,帮助设计人员对这些器件进行快速评估。

供货情况

    最新串行SRAM系列的所有六款器件提供8引脚SOIC、TSSOP和PDIP封装。容量有512 Kb的1 Mb供选择。两款易失性器件——23A1024和23LC1024——现已提供样片并批量生产,10,000片起批量供应。23A512及23LC512预计将于10月份提供样片并批量生产。两款非易失性器件——23LCV512和23LCV1024——预计在10月提供样片并批量生产,也将10,000片起批量供应。欲了解更多信息,请联络Microchip销售代表或全球授权分销商,也可浏览Microchip网站http://www.microchip.com/get/PT2P。欲购买文中提及的产品,可通过microchipDIRECT购买,或联络任何Microchip授权分销伙伴。

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