IR推出采用PQFN封装的20V、25V及30V MOSFET，适用于ORing和电机驱动应用
2010-03-11
作者：IR
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅技术，是该公司首批采用5x6mm PQFN封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可实现业界领先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高仅为1.2mΩ，显著降低了手工工具等直流电机驱动应用的传导损耗。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借在基准MOSFET技术方面的丰富经验和不断努力，IR推出了结合我们最新一代芯片与PQFN封装技术的MOSFET系列，实现了业界领先的RDS(on) ，继续开创卓越性能的先河。此外，在未来几个月，我们将按照产品路线图推出宽泛组合的PQFN基准MOSFET产品，以满足客户的需求。”
25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是专为DC开关应用设计的，例如需要高电流承载能力和高效率的有源ORing和直流电机驱动应用。IRFH5250TRPbF具有极低的RDS(on)，最高只有1.15mΩ，且栅极电荷 (Qg) 仅为52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 只有1.4mΩ，Qg 达到了 50nC。
如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件，不仅能够实现卓越的热性能，还可以根据给定的功率损耗要求，比现有解决方案使用更少的元件，节省电路板空间及成本。
所有这些新器件均具有低热阻 (<0.5°C/W)，并达到一级湿敏 (MSL1) 工业合格水平，也不含铅、溴化物和卤素，且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
IRFH6200TRPbF产品规格
|
器件编号 |
封装 |
电压 |
最大Vgs |
Rdson max @ Vgs=4.5 |
Rdson max @ Vgs=2.5 |
Id @ Tc=25 |
|
IRFH6200TRPbF |
PQFN 5x6mm |
20 V |
±12V |
1.2 mΩ |
1.4 mΩ |
100 A |
IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF产品规格
|
器件编号 |
封装 |
电压 |
Rdson max @ Vgs=10 |
Rdson max @ Vgs=4.5 |
Qg typ @ Vgs=4.5 |
Id @ Tc=25 |
|
IRFH5250TRPbF |
PQFN 5x6mm |
25 V |
1.15 mΩ |
1.7 mΩ |
52 nC |
100 A |
|
IRFH5300TRPbF |
PQFN 5x6mm |
30 V |
1.4 mΩ |
2.1 mΩ |
50 nC |
100 A |
|
IRFH5301TRPbF |
PQFN 5x6mm |
30 V |
1.85 mΩ |
2.9 mΩ |
37 nC |
100 A |
|
IRFH5302TRPbF |
PQFN 5x6mm |
30 V |
2.1 mΩ |
3.5 mΩ |
29 nC |
100 A |
IR简介
国际整流器公司 (简称IR，纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。
IR成立于1947年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR全球网站：www.irf.com，中国网站：www.irf.com.cn。