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国内首款抗辐射型高性能32位四核并行处理器问市

2013-11-06

    首家登陆中国创业板的本土IC设计企业珠海欧比特控制工程股份有限公司,日前宣布推出一款名为S698PM的抗辐射型的高性能、高可靠、高集成度、低功耗的四核并行处理器SOC芯片,这款32位处理器其采用对称多处理架构(SMP),遵循SPARC V8标准,专为高端嵌入式实时控制及复杂计算等应用而设计。

    S698PM芯片内部集成4个相同的高性能处理器核心,每个处理器核心均由32位RISC整型处理单元(IU)、双精度浮点处理单元(FPU)、高速一级缓存(L1 Cache)和存储器管理单元(MMU)等组成。

    S698PM芯片采用AMBA2.0标准总线,其中采用128位带宽AHB总线作为处理器核心互联总线,采用32位带宽AHB总线作为片内高速外设互联总线,采用32位带宽APB总线作为片内低速外设互联总线,各总线间通过桥接器交换数据。

    丰富的片上外设是S698PM芯片的另一大特点,其内部集成了包括GPIO、UART、定时器、中断控制器、调试支持单元、存储器控制器、1553B总线控制器、CAN总线控制器、10M/100M以太网控制器、SpaceWire总线节点控制器、CCSDS遥控遥测接口、USB2.0主控器、SPI主控器、I2C主控器等功能模块。

    S698PM芯片内嵌在线调试支持单元(DSU),允许用户通过UART串口或以太网接口访问芯片所有寄存器、存储器和外设,使软、硬件调试变得极为方便。S698PM芯片采用SMP架构设计,支持多核并行处理机制,利用eCOS、VxWorks、Linux等实时嵌入式操作系统,用户可方便地实现嵌入式实时控制系统的高性能多核并行处理设计。

图示:S698PM内部功能模块框图

    据了解,目前S698PM处理器已经实现了批量供货能力,产品形态有陶瓷封装、塑料封装及IP核可供航空航天、星箭站船、高端工控等领域客户灵活选择。

S698PM主要性能特征:

.    四核并行处理器,集成了4个高性能处理器核心,每个处理器核心配置了:

▪      32位SPARC V8整型处理单元(IU),符合IEEE-1754标准;

▪      64位双精度浮点处理单元(FPU),符合IEEE-754标准;

▪      一级缓存(含指令缓存ICache和数据缓存DCache);

▪      存储器管理单元MMU;

▪      硬件乘法器和除法器;

▪      支持MAC和UMAC等DSP指令;

▪      7级指令流水;

.     基于AMBA2.0标准总线的可裁减结构

▪      各个处理器核互联总线:128-bit带宽的AHB;

▪      片内高速外设互联总线:32-bit带宽的AHB;

▪      片内低速外设互联总线:32-bit带宽的APB;

▪      128-bit AHB与32-bit AHB间的转换桥:AHB/AHB bridge;

▪      32-bit AHB与32-bit APB间的转换桥:AHB/APB bridge;

.     两级缓存结构

▪      L1 Cache :一级缓存,含ICache和DCache,位于处理器核心中;

▪      L2 Cache :二级缓存,521KB,位于存储器控制器与128-bit AHB总线之间;

.     片内外设:

▪      存储器控制器,支持ROM、SRAM、DDR2、MAP IO;

▪      中断控制器,支持6路可编程的外部中断;

▪      4通道的SpaceWire总线节点控制器;

▪      2通道的1M/10M速率1553B总线控制器;

▪      2通道的CAN2.0总线控制器;

▪      CCSDS 用空遥测TM/TC接口;

▪      10/100M自适应以太网控制器;

▪      USB2.0 HOST接口;

▪      在线硬件调试支持单元DSU;

▪      Timer、Wdog、GPIO、UART、I2C、SPI;

.     抗辐加固设计

▪      内部时序逻辑单元:TMR加固;

▪      内部存储器模块:EDAC捡错纠错;

▪      外部存储器:EDAC捡错纠错;

.     最高主频:600MHz;

.    峰值处理能力:2100 MIPS、900MFLOPS(double precision);

.     工作电压:

▪      Core:1.0V,±10%;

▪      普通IO(除DDR2和SpaceWire的IO外):3.3V,±10%;

▪      DDR2 IO:2.5V,±10%;

▪      SpaceWire IO:2.5V,LVDS差分350mV;

.     芯片功耗:<3W@600MHz。

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